SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BUK661R6-30C118 NXP USA Inc. BUK661R6-30C118 0.8800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 120a (TC) 10V 1.6mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 V ± 16V 14964 pf @ 25 V - 306W (TC)
BUK9E4R4-80E,127 NXP USA Inc. Buk9e4r4-80e, 127 -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Buk9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 5V, 10V 4.2mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 123 NC @ 5 V ± 10V 17130 pf @ 25 V - 349W (TC)
BCX55,115 NXP USA Inc. BCX55,115 -
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCX55 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
1PS184,135 NXP USA Inc. 1PS184,135 -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS18 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
BZV55-B5V1,115 NXP USA Inc. BZV55-B5V1,115 -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZV55 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500
BTA206X-800CT/L01127 NXP USA Inc. BTA206X-800CT/L01127 0.3200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8541.30.0080 1
BT150S-600R,118 NXP USA Inc. BT150S-600R, 118 -
RFQ
ECAD 1713 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dpak descascar EAR99 8541.30.0080 1 6 MA 600 V 4 A 1 V 35a, 38a 200 µA 1.8 V 2.5 A 500 µA Puerta sensible
MRF19045LR5 NXP USA Inc. MRF19045LR5 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Ni-400 MRF19 1.93GHz Ldmos NI-400-240 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5A991G 8542.31.0001 50 - 550 Ma 9.5W 14.5dB - 26 V
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T, 127 -
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Php22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 3.1mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 300W (TC)
BT138-600D,127 NXP USA Inc. BT138-600D, 127 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 704 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 12 A 1.5 V 95a, 105a 5 Ma
MRF8S9260HR5 NXP USA Inc. MRF8S9260HR5 -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 960MHz Ldmos NI-880H-2L - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935317145178 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.7 A 75W 18.6db - 28 V
BAS316,135 NXP USA Inc. BAS316,135 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BAS31 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000
PZM4.7NB,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB, 115 -
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PZM4.7 300 MW Smt3; Mpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.7 V 80 ohmios
BFG480W,135 NXP USA Inc. BFG480W, 135 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 Bfg48 360MW CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934055055135 EAR99 8541.21.0075 10,000 16dB 4.5V 250 Ma NPN 40 @ 80mA, 2V 21 GHz 1.2db ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
BZB984-C9V1,115 NXP USA Inc. BZB984-C9V1,115 -
RFQ
ECAD 1807 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOT-663 265 MW SOT-663 descascar 0000.00.0000 1 1 par Ánodo Común 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 6 ohmios
1PS181,135 NXP USA Inc. 1PS181,135 -
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS18 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
PUMD12/L135 NXP USA Inc. PUMD12/L135 0.0300
RFQ
ECAD 82 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 10,000
BF1212R,215 NXP USA Inc. BF1212R, 215 -
RFQ
ECAD 4180 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 6 V Montaje en superficie Sot-143r BF121 400MHz Mosfet Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 12 MA - 30dB 0.9db 5 V
BZX79-B6V8,143 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,143 0.0200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
PMEG45U10EPD139 NXP USA Inc. PMEG45U10EPD139 1.0000
RFQ
ECAD 8807 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 5,000
BTA312-800CT,127 NXP USA Inc. BTA312-800CT, 127 -
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 35 Ma Estándar 800 V 12 A 1 V 100a, 110a 35 Ma
PMV37EN,215 NXP USA Inc. PMV37en, 215 -
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMV3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.1a (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 10 V - 380MW (TA)
AFT27S006NT1 NXP USA Inc. AFT27S006NT1 11.5400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie PLD-1.5W AFT27 2.17GHz Ldmos PLD-1.5W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0095 1,000 - 70 Ma 28.8dbm 22dB - 28 V
PZU11B3A115 NXP USA Inc. PZU11B3A115 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0050 1
MMRF1317HSR5 NXP USA Inc. MMRF1317HSR5 839.9756
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Monte del Chasis NI-1230-4S MMRF1317 1.03GHz Ldmos NI-1230-4S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Dual - 100 mA 1300W 18.2db - 50 V
BAW56SRA147 NXP USA Inc. BAW56SRA147 1.0000
RFQ
ECAD 7923 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Baw56s descascar 0000.00.0000 1
BFS25A,115 NXP USA Inc. BFS25A, 115 -
RFQ
ECAD 4004 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFS25 32MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 5V 6.5mA NPN 50 @ 500 µA, 1V 5GHz 1.8db ~ 2db @ 1ghz
BZX79-C24,143 NXP USA Inc. BZX79-C24,143 0.0200
RFQ
ECAD 215 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
PBSS4240ZX NXP USA Inc. PBSS4240ZX 0.1000
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SOT-223 descascar EAR99 8541.29.0075 1
MRF8S9260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HSR3 -
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Montaje en superficie NI-880S MRF8 960MHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935319595128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.7 A 75W 18.6db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock