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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
PZM8.2NB, 115	-	RFQ	3033	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM8.2			300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																				1.1 V @ 100 Ma		700 na @ 5 V								8.2 V	10 ohmios
BZX284-C5V6,135	-	RFQ	9070	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284			400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	11,000																				1.1 V @ 100 Ma		1 µA @ 2 V								5.6 V	40 ohmios
PZM2.7NB, 115	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM2.7			300 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																				1.1 V @ 100 Ma		20 µA @ 1 V								2.7 V	100 ohmios
PMEG2015EA115	-	RFQ	1730	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			Schottky		Sod-323	descascar					EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																	20 V	660 MV @ 1.5 A		50 µA @ 15 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1.5a	25pf @ 5V, 1 MHz
PMWD15UN, 518	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	PMWD15		Mosfet (Óxido de metal)	4.2W	8-TSOP	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)							20V	11.6a		18.5mohm @ 5a, 4.5V	700mv @ 1 MMA	22.2NC @ 4.5V		1450pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
BUK763R8-80E118	1.0000	RFQ	4080	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.29.0095	1
PHX9NQ20T, 127	-	RFQ	9179	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Phx9		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					200 V	5.2a (TC)	10V	400mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 1MA	24 NC @ 10 V	± 20V	959 pf @ 25 V	-	25W (TC)
BCM847DS/DG/B2 115	0.0600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BCM847					descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
PSMN050-80BS, 118	-	RFQ	9168	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	800			N-canal					80 V	22a (TC)	10V	46mohm @ 10a, 10v	4V @ 1MA	11 NC @ 10 V	± 20V	633 pf @ 12 V	-	56W (TC)
PDTB123TS, 126	-	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto				A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTB123			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																										50 V	500 mA		500NA			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	100 @ 50mA, 5V		2.2 kohms
BFR505,215	-	RFQ	1628	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR50			150MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																			15V	18 MA					NPN		60 @ 5 MMA, 6V	9 GHz			1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
BFG590,215	-	RFQ	6423	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BFG59			400MW	Sot-143b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																			15V	200 MMA					NPN		60 @ 70mA, 8V	5GHz			-
PSMN005-55B, 118	-	RFQ	6046	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	PSMN0		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal					55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 25A, 10V	2v @ 1 mapa	103 NC @ 5 V	± 15V	6500 pf @ 25 V	-	230W (TC)
BC856BT115	1.0000	RFQ	3797	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BC856			150 MW	SC-75	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000																										65 V	100 mA		15NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	220 @ 2mA, 5V	100MHz
PBRP123ys, 126	-	RFQ	2509	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto				A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PBRP123			500 MW	Un 92-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																										50 V	800 Ma		-			PNP - Pre -Sesgado	-	-		2.2 kohms	10 kohms
BYV25FD-600,118	0.3200	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Estándar		Dpak	descascar					EAR99	8541.10.0080	944		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																	600 V	1.9 v @ 5 a	35 ns	50 µA @ 600 V	150 ° C (Máximo)	5A	-
Pdtb113zqa147	-	RFQ	7763	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	1
Buk794r1-40bt, 127	-	RFQ	5785	NXP USA Inc.	Trenchplus	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-5	Buk79		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-5	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					40 V	75A (TC)	10V	4.1mohm @ 50A, 10V	4V @ 1MA	83 NC @ 10 V	± 20V	6808 pf @ 25 V	Diodo de Deteca de Temperatura	272W (TC)
PZM5.1NB2A, 115	-	RFQ	3703	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PZM5.1			220 MW	Smt3; Mpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																				1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 1.5 V								5.1 V	60 ohmios
MRF6S21190HSR5	-	RFQ	8414	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		68 V		Montaje en superficie	NI-880S	MRF6	2.11GHz ~ 2.17GHz	Ldmos		NI-880S	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50				-	1.6 A	54W	16dB											-										28 V
BC857CQA147	0.0300	RFQ	141	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BC857					descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	5,000
BLF8G20LS-400PVQ	-	RFQ	4489	NXP USA Inc.	-	Tubo	Activo		65 V		Monte del Chasis	SOT-1242B	BLF8G20	1.81GHz ~ 1.88GHz	Ldmos		CDFM8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067803127	EAR99	8541.29.0075	15	Dual			-	3.4 A	95w	19dB											-										28 V
PZU15B2115	-	RFQ	1606	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.10.0050	1
MRF6V2010NBR5	-	RFQ	1901	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		110 V		Monte del Chasis	Un 272bc	MRF6	220MHz	Ldmos		Un 272-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50				-	30 Ma	10W	23.9db											-										50 V
BZX79-B2V7,133	0.0200	RFQ	120	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX79					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000
PDTC123ym, 315	0.0300	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PDTC123					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000
BFR505T115	-	RFQ	8876	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	166
BUK9245-55A/C1118	0.2400	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	2.500
Pmn38en, 135	-	RFQ	4802	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN3		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10,000			N-canal					30 V	5.4a (TC)	4.5V, 10V	38mohm @ 3a, 10v	2v @ 1 mapa	6.1 NC @ 4.5 V	± 20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W (TC)
BUK761R8-30C, 118	-	RFQ	1442	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk76		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal					30 V	100A (TC)	10V	1.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	150 NC @ 10 V	± 20V	10349 pf @ 25 V	-	333W (TC)