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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | MRF5S19060NBR1 | - | ![]() | 5540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF5 | 1.99 GHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 750 Ma | 12W | 14dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta123ye, 115 | - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114YEF, 115 | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | PDTC114 | 250 MW | SC-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9135HSR3 | - | ![]() | 7728 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Montaje en superficie | NI-880S | Mrfe6 | 940MHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935309933128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 A | 39W | 21db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S21090HSR3 | - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF5 | 2.11GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 19W | 14.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS321/ZLX | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAS32 | Estándar | Sod-323 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4732A, 113 | 0.0400 | ![]() | 95 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115TS, 126 | - | ![]() | 6049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC115 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143XE, 115 | - | ![]() | 4662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTC143 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B27,115 | - | ![]() | 5552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN050-80BS, 118 | - | ![]() | 9168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N-canal | 80 V | 22a (TC) | 10V | 46mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 633 pf @ 12 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847DS/DG/B2 115 | 0.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM847 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB123TS, 126 | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTB123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 100 @ 50mA, 5V | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU725F/N1/S115 | 1.0000 | ![]() | 7446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmn45en, 135 | 0.1800 | ![]() | 450 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N-canal | 30 V | 5.2a (TC) | 40mohm @ 3a, 10v | 2v @ 1 mapa | 6.1 NC @ 4.5 V | 20V | 495 pf @ 25 V | - | 1.75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5250,135 | - | ![]() | 7168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ON52 | - | - | SC-73 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934057275135 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas116t, 115 | - | ![]() | 2965 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Bas11 | Estándar | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phe13003c, 412 | 0.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PHE13 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C16,215 | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS56/DG/B2215 | 0.0300 | ![]() | 7371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR505,215 | - | ![]() | 1628 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR50 | 150MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 18 MA | NPN | 60 @ 5 MMA, 6V | 9 GHz | 1.2db ~ 2.1db @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM4.7NB3,115 | - | ![]() | 2698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 300 MW | Smt3; Mpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG590,215 | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BFG59 | 400MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 200 MMA | NPN | 60 @ 70mA, 8V | 5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF199,112 | - | ![]() | 4532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BF199 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 V | 25 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | - | 38 @ 7MA, 10V | 550MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buk794r1-40bt, 127 | - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchplus | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | Buk79 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 6808 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 272W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G20LS-400PVQ | - | ![]() | 4489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | 65 V | Monte del Chasis | SOT-1242B | BLF8G20 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | CDFM8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067803127 | EAR99 | 8541.29.0075 | 15 | Dual | - | 3.4 A | 95w | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3946YPN, 115 | - | ![]() | 3914 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S21190HSR5 | - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | NI-880S | MRF6 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 54W | 16dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS226,115 | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS22 | Estándar | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 215MA (DC) | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3005AEA/ZL115 | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG3005 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 |
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