SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF5S19060NBR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NBR1 -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Un 272bb MRF5 1.99 GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 750 Ma 12W 14dB - 28 V
PDTA123YE,115 NXP USA Inc. Pdta123ye, 115 -
RFQ
ECAD 1950 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA123 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
PDTC114YEF,115 NXP USA Inc. PDTC114YEF, 115 -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 PDTC114 250 MW SC-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 10 kohms 47 kohms
MRFE6S9135HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9135HSR3 -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Montaje en superficie NI-880S Mrfe6 940MHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935309933128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1 A 39W 21db - 28 V
MRF5S21090HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HSR3 -
RFQ
ECAD 5055 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF5 2.11GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 250 - 850 Ma 19W 14.5dB - 28 V
BAS321/ZLX NXP USA Inc. BAS321/ZLX -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS32 Estándar Sod-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
1N4732A,113 NXP USA Inc. 1N4732A, 113 0.0400
RFQ
ECAD 95 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo 1N47 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000
PDTC115TS,126 NXP USA Inc. PDTC115TS, 126 -
RFQ
ECAD 6049 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC115 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 100 kohms
PDTC143XE,115 NXP USA Inc. PDTC143XE, 115 -
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC143 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 10 kohms
BZX585-B27,115 NXP USA Inc. BZX585-B27,115 -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
PSMN050-80BS,118 NXP USA Inc. PSMN050-80BS, 118 -
RFQ
ECAD 9168 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 800 N-canal 80 V 22a (TC) 10V 46mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 633 pf @ 12 V - 56W (TC)
BCM847DS/DG/B2 115 NXP USA Inc. BCM847DS/DG/B2 115 0.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCM847 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
PDTB123TS,126 NXP USA Inc. PDTB123TS, 126 -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTB123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 100 @ 50mA, 5V 2.2 kohms
BFU725F/N1/S115 NXP USA Inc. BFU725F/N1/S115 1.0000
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
PMN45EN,135 NXP USA Inc. Pmn45en, 135 0.1800
RFQ
ECAD 450 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 10,000 N-canal 30 V 5.2a (TC) 40mohm @ 3a, 10v 2v @ 1 mapa 6.1 NC @ 4.5 V 20V 495 pf @ 25 V - 1.75W (TC)
ON5250,135 NXP USA Inc. ON5250,135 -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ON52 - - SC-73 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934057275135 EAR99 8541.29.0095 4.000 - - - - -
BAS116T,115 NXP USA Inc. Bas116t, 115 -
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 Bas11 Estándar SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.25 V @ 150 Ma 3 µs 5 na @ 75 V 150 ° C (Máximo) 215 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
PHE13003C,412 NXP USA Inc. Phe13003c, 412 0.0700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PHE13 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000
BZB84-C16,215 NXP USA Inc. BZB84-C16,215 -
RFQ
ECAD 2598 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
BAS56/DG/B2215 NXP USA Inc. BAS56/DG/B2215 0.0300
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
BFR505,215 NXP USA Inc. BFR505,215 -
RFQ
ECAD 1628 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR50 150MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 18 MA NPN 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
PZM4.7NB3,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB3,115 -
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PZM4.7 300 MW Smt3; Mpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.7 V 80 ohmios
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFG59 400MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 200 MMA NPN 60 @ 70mA, 8V 5GHz -
BF199,112 NXP USA Inc. BF199,112 -
RFQ
ECAD 4532 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF199 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 25 Ma 100NA (ICBO) NPN - 38 @ 7MA, 10V 550MHz
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. Buk794r1-40bt, 127 -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchplus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-5 Buk79 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-5 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 4.1mohm @ 50A, 10V 4V @ 1MA 83 NC @ 10 V ± 20V 6808 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 272W (TC)
BLF8G20LS-400PVQ NXP USA Inc. BLF8G20LS-400PVQ -
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Activo 65 V Monte del Chasis SOT-1242B BLF8G20 1.81GHz ~ 1.88GHz Ldmos CDFM8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067803127 EAR99 8541.29.0075 15 Dual - 3.4 A 95w 19dB - 28 V
PMBT3946YPN,115 NXP USA Inc. PMBT3946YPN, 115 -
RFQ
ECAD 3914 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMBT3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
MRF6S21190HSR5 NXP USA Inc. MRF6S21190HSR5 -
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie NI-880S MRF6 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.6 A 54W 16dB - 28 V
1PS226,115 NXP USA Inc. 1PS226,115 -
RFQ
ECAD 1712 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS22 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
PMEG3005AEA/ZL115 NXP USA Inc. PMEG3005AEA/ZL115 -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMEG3005 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock