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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF6S9160HSR3 NXP USA Inc. MRF6S9160HSR3 -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 880MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 35W 20.9db - 28 V
BT1308-400D,412 NXP USA Inc. BT1308-400D, 412 -
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BT130 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 800 Ma 2 V 9a, 10a 5 Ma
MPSA06,412 NXP USA Inc. MPSA06,412 -
RFQ
 ECAD 8155 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA06 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 80 V 500 mA 50NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BFU520VL NXP USA Inc. Bfu520vl 0.1208
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA Bfu520 450MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067702235 EAR99 8541.21.0075 10,000 17.5dB 12V 30mera NPN 60 @ 5mA, 8V 10.5 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
MRFE6VP8600HR6 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HR6 -
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 130 V Monte del Chasis NI-1230 Mrfe6 860MHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 150 Dual - 1.4 A 125W 19.3db - 50 V
BFU550AVL NXP USA Inc. Bfu550avl 0.0884
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFU550 450MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067699235 EAR99 8541.21.0075 10,000 12dB 12V 50mera NPN 60 @ 15 mm, 8v 11 GHz 1.4db @ 1.8Ghz
BF1202WR,115 NXP USA Inc. BF1202WR, 115 -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 10 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF120 400MHz Mosfet CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 12 MA - 30.5dB 0.9db 5 V
PBSS5350S,126 NXP USA Inc. PBSS5350S, 126 -
RFQ
 ECAD 4268 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PBSS5 830 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 2a 100 @ 2a, 2v 100MHz
1PS193,115 NXP USA Inc. 1PS193,115 -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS19 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
BC327,412 NXP USA Inc. BC327,412 -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC32 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
BZX284-C10,115 NXP USA Inc. BZX284-C10,115 -
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD -10 BZX284 400 MW SOD -10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 200 na @ 7 V 10 V 10 ohmios
PDTC123JS,126 NXP USA Inc. PDTC123JS, 126 -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
MRF8S9260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HSR3 -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Montaje en superficie NI-880S MRF8 960MHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935319595128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.7 A 75W 18.6db - 28 V
BZX84J-C7V5,115 NXP USA Inc. BZX84J-C7V5,115 -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX84 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
MRF6S23140HR3 NXP USA Inc. MRF6S23140HR3 -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 2.39 GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.3 A 28W 15.2db - 28 V
BFT25,215 NXP USA Inc. BFT25,215 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFT25 30mW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 5V 6.5mA NPN 20 @ 1mA, 1V 2.3GHz 5.5dB @ 500MHz
BFG31,115 NXP USA Inc. BFG31,115 -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BFG31 1W SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 15V 100mA PNP 25 @ 70 mm, 10v 5GHz -
2PD1820AQ,115 NXP USA Inc. 2PD1820AQ, 115 -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2PD18 200 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 30 mA, 300 mA 85 @ 150mA, 10V 150MHz
BZX284-B6V2,115 NXP USA Inc. BZX284-B6V2,115 -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD -10 BZX284 400 MW SOD -10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
MRF6S18060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S18060NBR1 -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Un 272bb MRF6 1.99 GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 600 mA 60W 15dB - 26 V
BC857QASX NXP USA Inc. Bc857qasx -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Activo BC857 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934068723115 EAR99 8541.21.0095 5,000
BUK9107-55ATE,118 NXP USA Inc. Buk9107-55ate, 118 1.0000
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb Mosfet (Óxido de metal) Sot-426 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 50A, 10V 2v @ 1 mapa 108 NC @ 5 V ± 15V 5836 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 272W (TC)
BFG35,115 NXP USA Inc. BFG35,115 -
RFQ
 ECAD 8932 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BFG35 1W SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 18V 150 Ma NPN 25 @ 100 mapa, 10v 4GHz -
PZM24NB3,115 NXP USA Inc. PZM24NB3,115 -
RFQ
 ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PZM24 300 MW Smt3; Mpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 70 na @ 19 V 24 V 30 ohmios
BLT70,115 NXP USA Inc. BLT70,115 -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BLT7 2.1w SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 8V 250 Ma NPN 25 @ 100 mapa, 4.8v 900MHz -
PDTC115TK,115 NXP USA Inc. PDTC115TK, 115 -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC115 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 100 kohms
2PC4617R,135 NXP USA Inc. 2PC4617R, 135 -
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2PC46 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 180 @ 1 MMA, 6V 100MHz
BC546B,116 NXP USA Inc. BC546B, 116 -
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC54 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZX84-C4V3,215 NXP USA Inc. BZX84-C4V3,215 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZV55-B16,115 NXP USA Inc. BZV55-B16,115 0.0200
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Llds; Mínimo descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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