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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTC123ys, 126 | - |  | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN48XPA115 | - | | 4392 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.1a (TA) | 55mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1000 pf @ 10 V | - | 530MW (TA), 6.25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT5401,215 | - | | 8738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT5 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 V | 300 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26P100-4WSR3 | - | | 1657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | AFT26 | 2.69 GHz | Ldmos | Ni-780S-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935320111128 | 5A991G | 8541.29.0040 | 250 | Dual | - | 200 MA | 22W | 15.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBRN113ZK, 115 | - | | 8188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PBRN113 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 1.15V @ 8 Ma, 800 Ma | 500 @ 300mA, 5V | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y7r6-40e/gfx | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C8V2,135 | 0.0200 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC369,112 | - | | 4027 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC36 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9510-55A, 127 | - | | 2320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 68 NC @ 5 V | ± 15V | 4307 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143XE, 135 | - | | 6446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5320D, 125 | 0.0700 | | 345 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C5V6,215 | 0.0200 | | 6363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847CW, 135 | 1.0000 | | 2816 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21060NR1 | - | | 1476 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270ab | MRF6 | 2.12 GHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 Ma | 14W | 15.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmeg6010esbyl | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,126 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 730 MV @ 1 A | 2.4 ns | 30 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 20pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143XM, 315 | 0.0300 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFQ67W, 115 | - | | 6748 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BFQ67 | 300MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | 10V | 50mera | NPN | 60 @ 15 mm, 5v | 8GHz | 1.3db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C2V7135 | 1.0000 | | 2200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6P27160HR5 | - | | 5452 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF6 | 2.66GHz | Ldmos | NI-1230 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.8 A | 35W | 14.6db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B27,115 | - | | 3046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC123YE, 115 | - | | 4920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTC123 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2010EPASX | 0.0800 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | Schottky | DFN2020D-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.699 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 375 MV @ 1 A | 50 ns | 335 µA @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 175pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYC5-600P127 | 0.3600 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG6010AESBC315 | 0.0500 | | 883 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG6010 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1211R, 215 | - | | 3848 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 6 V | Montaje en superficie | Sot-143r | BF121 | 400MHz | Mosfet | Sot-143r | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 15 Ma | - | 29dB | 0.9db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumb30,115 | - | | 2352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumb3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A3V0,215 | 0.1100 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.681 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS193,115 | - | | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS19 | Estándar | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B4V7,133 | 0.0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4160K, 115 | - | | 4859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS4 | 425 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 750 Ma | 100na | NPN | 280mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 500mA, 5V | 220MHz |
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