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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21110HSR5 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 2.17GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1 A 33W 17.3db - 28 V
BZX84-C47/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C47/LF1R -
RFQ
 ECAD 7831 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C47 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069483215 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
PDTC123YS,126 NXP USA Inc. PDTC123ys, 126 -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
1PS226,115 NXP USA Inc. 1PS226,115 -
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1PS22 Estándar Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 80 V 215MA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
PDTA124TS,126 NXP USA Inc. PDTA124TS, 126 -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTA124 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1 mapa, 5v 22 kohms
2N5401,412 NXP USA Inc. 2N5401,412 -
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N54 630 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 150 V 300 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
BT150S-600R,118 NXP USA Inc. BT150S-600R, 118 -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dpak descascar EAR99 8541.30.0080 1 6 MA 600 V 4 A 1 V 35a, 38a 200 µA 1.8 V 2.5 A 500 µA Puerta sensible
MRFE6S9135HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9135HSR3 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Montaje en superficie NI-880S Mrfe6 940MHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935309933128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1 A 39W 21db - 28 V
PBR941B,215 NXP USA Inc. PBR941B, 215 -
RFQ
 ECAD 5671 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PBR94 360MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 10V 50mera NPN 100 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.5db ~ 2.5db @ 1ghz
2PD601ASW,115 NXP USA Inc. 2pd601asw, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 290 @ 2mA, 10V 100MHz
BC327,126 NXP USA Inc. BC327,126 -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC32 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
PH1955L,115 NXP USA Inc. PH1955L, 115 -
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PH19 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 55 V 40A (TC) 4.5V, 10V 17.3mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 18 NC @ 5 V ± 15V 1992 PF @ 25 V - 75W (TC)
PRLL5819,115 NXP USA Inc. PRLL5819,115 -
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sod-87 PRLL58 Schottky Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
MRF8S21200HR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HR5 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-1230 MRF8 2.14 GHz Ldmos NI-1230 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 1.4 A 48W 18.1db - 28 V
PVR100AD-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B2V5,115 -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 PVR10 300 MW SC-74 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) Npn + zener - 160 @ 100mA, 1V -
PBSS5140V,115 NXP USA Inc. PBSS5140V, 115 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 PBSS5 500 MW Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.000 40 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 310MV @ 100 Ma, 1A 300 @ 100mA, 5V 150MHz
BF199,112 NXP USA Inc. BF199,112 -
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF199 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 25 Ma 100NA (ICBO) NPN - 38 @ 7MA, 10V 550MHz
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. A2T18S162W31SR3 -
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Ni-780S-2L2LA A2T18 1.84GHz Ldmos Ni-780S-2L2LA descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935325964128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1 A 32W 20.1db - 28 V
PDTC124XK,115 NXP USA Inc. PDTC124XK, 115 -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 22 kohms 47 kohms
MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HR5 225.7800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 133 V Monte del Chasis NI-1230 Mrfe6 230MHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 100 mA 1250W 24db - 50 V
MRF6V13250HSR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR3 -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 120 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 1.3GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 100 mA 250W 22.7db - 50 V
BT139-600E/DG,127 NXP USA Inc. BT139-600E/DG, 127 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 713 Soltero 45 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 16 A 1.5 V 155a, 170a 10 Ma
BCP54-16,115 NXP USA Inc. BCP54-16,115 -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCP54 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
PVR100AZ-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B2V5,115 -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) Npn + zener - 160 @ 100mA, 1V -
PDTC143ES,126 NXP USA Inc. PDTC143ES, 126 -
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC143 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 4.7 kohms
BZT52H-B15,115 NXP USA Inc. BZT52H-B15,115 0.0200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar EAR99 8541.10.0050 15,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 15 ohmios
BCV26,235 NXP USA Inc. BCV26,235 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 220MHz
BZV55-B8V2,115 NXP USA Inc. BZV55-B8V2,115 -
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZV55 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500
PUMD4,115 NXP USA Inc. Pumd4,115 -
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Pumd4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
MRF7S19210HR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HR5 -
RFQ
 ECAD 4495 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 1.99 GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4 A 63W 20dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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