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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
PMBT2907A, 235	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PMBT2907					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0075	10,000
A2I25D025NR1	39.9700	RFQ	308	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		65 V		Montaje en superficie	Variante A 270-17, Plana Plana	A2I25	2.69 GHz	Ldmos		Un 270WB-17	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8542.33.0001	500	Dual		-	59 Ma	3.2W	31.9db											-					28 V
Pmn38en, 135	-	RFQ	4802	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN3		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	10,000		N-canal					30 V	5.4a (TC)	4.5V, 10V	38mohm @ 3a, 10v	2v @ 1 mapa	6.1 NC @ 4.5 V	± 20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W (TC)
BZX79-B2V7,133	0.0200	RFQ	120	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX79					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
PDTC123ym, 315	0.0300	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PDTC123					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	10,000
BFR505T115	-	RFQ	8876	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.21.0075	166
PMBT2907,215	0.0200	RFQ	353	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2907			250 MW	Sot-23	descascar				EAR99	8541.21.0075	1																				40 V	600 mA		20NA (ICBO)			PNP	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
MRF6V2010NBR5	-	RFQ	1901	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		110 V		Monte del Chasis	Un 272bc	MRF6	220MHz	Ldmos		Un 272-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0075	50			-	30 Ma	10W	23.9db											-					50 V
PBSS5160PAPS115	0.1300	RFQ	78	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.21.0075	2,423
PZU15B2115	-	RFQ	1606	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar				EAR99	8541.10.0050	1
PHPT61002PYC115	-	RFQ	3504	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.29.0075	1.500
BZX79-B30,113	0.0200	RFQ	7052	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar				EAR99	8541.10.0050	1																		900 MV @ 10 Ma	50 na @ 21 V					30 V	80 ohmios
BZX384-B20,115	0.0200	RFQ	775	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX384					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000