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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | J3D016YXV/T1AY599J | - |  | 1222 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | J3D0 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk764r2-80e, 118 | - | | 6782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 10426 pf @ 25 V | - | 324W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1212,215 | - | | 5840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 6 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF121 | 400MHz | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 12 MA | - | 30dB | 0.9db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF8G22L-160BV, 112 | - | | 9961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-1120B | BLF8G22 | - | - | CDFM6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC547B, 112 | - | | 1307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC54 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC52-16PA, 115 | - | | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T21H140-24SR3 | - | | 7065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | OM780-4 | A2T21 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | OM780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935340104128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | 10 µA | 350 Ma | 169W | 17.4db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT4401,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf101an-start | - | | 9286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 133 V | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MRF101 | 1.8MHz ~ 250MHz | Ldmos | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 10 µA | 100 mA | 115W | 21.1db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5P21180HR5 | - | | 1093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF5 | 2.16 GHz | Ldmos | NI-1230 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 38w | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmn49en, 165 | - | | 6071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN4 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934061119165 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 30 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 2a, 10v | 2v @ 1 mapa | 8.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 1.75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4148,113 | - | | 2136 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | ALF2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP100HSR5 | 112.5908 | | 4457 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 133 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | Mrfe6 | 512MHz | Ldmos | Ni-780S-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935314736178 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 100 mA | 100W | 26dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS138BKW-B115 | 0.0300 | | 9273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.899 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y65-100ex | - | | 6099 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Buk7y65 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 19a (TC) | 10V | 65mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 17.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1023 pf @ 25 V | - | 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8HP21130HSR3 | - | | 6037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | MRF8 | 2.17GHz | Ldmos | Ni-780S-4L | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935321595128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - | 360 Ma | 28W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6510-75C, 127 | - | | 4920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 77a (TC) | 4.5V, 10V | 10.4mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 16V | 5251 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113ZM315 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.21.0095 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN041-80YL115 | 1.0000 | | 3638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35005MR5 | - | | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 15 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55 GHz | fet fet | PLD-1.5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 80 Ma | 4.5w | 11db | - | 12 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C51,215 | 1.0000 | | 8231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C51 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7509-55A, 127 | - | | 5893 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk75 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T21S260-12SR3 | - | | 5725 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780-2S2L | A2T21 | 2.17GHz | Ldmos | Ni-780-2S2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935320716128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 A | 65W | 18.7dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XK, 115 | - | | 7787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH2369,112 | - | | 7471 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PH23 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 15 V | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 40 @ 10mA, 1V | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Php96nq03lt, 127 | - | | 8301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php96 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 25 V | 75A (TC) | 5V, 10V | 4.95mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 26.7 NC @ 5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU520235 | - | | 4196 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSR16/DG/B3215 | 0.0500 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF6G20-110,112 | - | | 1486 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | Sot502a | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 29a | 900 mA | 25W | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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