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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF8P23160WHSR3 | - |  | 9830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-780-4 | MRF8 | 2.32 GHz | Mosfet | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935310859128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 600 mA | 30W | 14.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BUJ403A/DG, 127 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 A | 100 µA | NPN | 1V @ 400MA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S23120HSR5 | - | | 7190 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF8 | 2.3GHz | Ldmos | Ni-780s | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 Ma | 28W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEM4010ND, 115 | - | | 1322 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 1 A | 100na | Npn + diodo (aislado) | 210mv @ 100 mm, 1a | 300 @ 500 mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ303A, 127 | - | | 9268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BUJ3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK75150-55A, 127 | - | | 6536 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 11a (TC) | 10V | 150mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 5.5 NC @ 10 V | ± 20V | 322 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BUK7509-55A, 127 | - | | 5893 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk75 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.6B3A115 | - | | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEM4010PD, 115 | - | | 6774 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 1 A | 100na | PNP + Diodo (Aislado) | 310MV @ 100 Ma, 1A | 300 @ 100mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD16N03LT, 118 | - | | 5240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd16 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 67mohm @ 16a, 10v | 2v @ 1 mapa | 8.5 NC @ 10 V | ± 15V | 210 pf @ 30 V | - | 32.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| PZU13B1A115 | - | | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21130HSR5 | - | | 8762 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 A | 28W | 13.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C8V2/LF1VL | - | | 8402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C8V2 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069486235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc1815gr, 412 | - | | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2pc18 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC860BW, 115 | 0.0200 | | 108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT05MP075N-54M | 514.8700 | | 5002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 568-Atagante05MP075N-54M | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc69-16pasx | 0.0700 | | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200Ma, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST3904,135 | - | | 2685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143XE, 115 | - | | 8017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5240V, 115 | - | | 6901 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B2V4,115 | - | | 5378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF820,215 | - | | 1747 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BF820 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21140HSR5 | - | | 3117 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | NI-880S | MRF6 | 2.12 GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 A | 30W | 15.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS21/ZL215 | 0.0200 | | 9466 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS21 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005AESF/S500315 | 0.0300 | | 846 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF19085LR5 | - | | 3474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF19 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 850 Ma | 18W | 13dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21100HSR3 | - | | 5820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Ni-780s | MRF5 | 2.16GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.05 A | 23W | 13.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XEF, 115 | - | | 8858 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF8G22L-160BV, 118 | - | | 6769 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte del Chasis | SOT-1120B | BLF8G22 | - | - | CDFM6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | - | - | - | - | - |
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