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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | BZV55-B27,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0.0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7219-55A, 118 | 0.5400 | ![]() | 1712 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK7219-55A, 118-954 | 1 | N-canal | 55 V | 55A (TC) | 10V | 19mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2108 pf @ 25 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX16C, 133 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX16C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21H350W03SR6 | 199.4800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | NI-1230-4S | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | NI-1230-4S | - | 2156-ATAIN21H350W03SR6 | 2 | N-canal | 10 µA | 763 Ma | 63W | 16.4db @ 2.11Ghz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV50ENEA215 | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMV50 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032PD, 115 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | 1 W | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4032PD, 115-954 | 2,031 | 30 V | 2.7 A | 100na | PNP | 395mv @ 300mA, 3A | 200 @ 1a, 2v | 104MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B10,133 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B10,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buk662r5-30c, 118 | 0.5200 | ![]() | 927 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK662R5-30C, 118-954 | 1 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 16V | 6960 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B5V1,315 | 0.0300 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-B5V1,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030PKX | - | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PHPT610030 | 1.25W | Lfpak56d | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PHPT610030PKX | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100V | 3A | 100na | 2 PNP (dual) | 360mv @ 200Ma, 2a | 150 @ 500 mA, 10V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF820,235 | - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BF820,235-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 50 Ma | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 mm, 30 mA | 50 @ 25 mm, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61B, 215 | 0.0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCW61B, 215-954 | 1 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 180 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb24,115 | 0.0200 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Pumb24 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pumb24,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B3V9,115 | 0.0200 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B3V9,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA115EU, 115 | 0.0200 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA115EU, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737A, 133 | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4737 | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7M21-40E, 115 | 1.0000 | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C15/CH, 235 | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V7,215 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C2V7 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VPEZ | 0.2000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | Mosfet (Óxido de metal) | 6-WLCSP (1.48x0.98) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,528 | Canal P | 12 V | 6.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 29.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1400 pf @ 6 V | - | 556MW (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 287 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP70-02/AX | 0.2300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BAP70-02/AX-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C18,235 | 0.0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C18,235-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C75,113 | 0.0300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C75,113-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 53 V | 75 V | 225 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V0,115 | - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A20,215 | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A20,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ8V2J, 115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios |
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