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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Calificación	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BUK9614-60E, 118	-	RFQ	1845	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK9614-60E, 118-954			1			N-canal					60 V	56a (TC)	5V	12.8mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 1MA	20.5 NC @ 5 V	± 10V	2651 pf @ 25 V	-	96W (TC)
TDZ22J, 115	0.0300	RFQ	42	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%		-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ22			500 MW	Sod-323f	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-TDZ22J, 115-954			10,414																				1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 15.4 V								22 V	25 ohmios
BZX79-C5V6,133	0.0200	RFQ	325	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C5V6,133-954			1																				900 MV @ 10 Ma	1 µA @ 2 V								5.6 V	40 ohmios
BZX84-C47,215	-	RFQ	6984	Semiconductorores nxp	BZX84	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX84-C47,215-954			1																				900 MV @ 10 Ma	50 na @ 32.9 V								47 V	170 ohmios
Phpt61010pyx	-	RFQ	1462	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669				1.5 W	LFPAK56, POWER-SO8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PHPT61010PYX-954	EAR99	8541.29.0075	1																									100 V	10 A		100na			PNP	800mv @ 1a, 10a	180 @ 500mA, 2V	90MHz
MRFX600HSR5	138.9000	RFQ	9931	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		179 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L		1.8MHz ~ 400MHz	LDMOS (dual)		Ni-780S-4L	-				2156-MRFX600HSR5			2	2 Canal			10 µA	100 mA	600W	26.4db @ 230MHz											-									65 V
PSMN7R0-100PS127	-	RFQ	7709	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo											descascar						0000.00.0000	1
BZX79-C75143	0.0200	RFQ	185	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.10.0050	1
PQMH13147	-	RFQ	2526	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo											-				2156-PQMH13147			1
PBSS5350D, 115	-	RFQ	7066	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457				750 MW	6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5350D, 115-954			1																									50 V	3 A		100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 200MA, 2a	100 @ 2a, 2v	100MHz
PMCM4401VNE/S500Z	-	RFQ	1093	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo											descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
BUK6215-75C, 118	0.2700	RFQ	6241	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK6215-75C, 118-954	EAR99	8541.29.0095	720			N-canal					75 V	57a (TA)		15mohm @ 15a, 10v	2.8V @ 1MA	61.8 NC @ 10 V	± 16V	3900 pf @ 25 V	-	128W (TA)
Phpt60410pyx	0.2100	RFQ	40	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669				1.3 W	LFPAK56, POWER-SO8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PHPT60410PYX-954	EAR99	8541.29.0095	1.550																									40 V	10 A		100na			PNP	800mv @ 500 Ma, 10a	240 @ 500mA, 2V	97MHz
Buk9y11-80ex	-	RFQ	8848	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669			Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK9Y11-80EX-954	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					80 V	84a (TC)	5V	10mohm @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	44.2 NC @ 5 V	± 10V	6506 pf @ 25 V	-	194W (TC)
BZX585-C51,115	1.0000	RFQ	8366	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BZX585-C51			300 MW	Sod-523	descascar						0000.00.0000	1																				1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 35.7 V								51 V	180 ohmios
PMV30XPEA215	-	RFQ	9535	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo											descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMV30XPEA215-954			1
BZV49-C3V0,115	0.1700	RFQ	5	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	To-243AA				1 W	Sot-89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV49-C3V0,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																				1 V @ 50 Ma	10 µA @ 1 V								3 V	95 ohmios
BZT52H-C62,115	0.0200	RFQ	165	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52			375 MW	SOD-123F	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C62,115-954			1																				900 MV @ 10 Ma	50 na @ 43.4 V								62 V	140 ohmios
Mmbz5263blt1g	-	RFQ	9111	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				225 MW	SOT-23-3 (TO-236)	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-MMBZ5263BLT1G-954			1																				900 MV @ 10 Ma	100 na @ 43 V								56 V	150 ohmios
NXP3875Y, 215	-	RFQ	6198	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo											descascar						0000.00.0000	1
PSMN3R5-80PS, 127	-	RFQ	5319	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar						0000.00.0000	1			N-canal					80 V	120a (TC)	10V	3.5mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	139 NC @ 10 V	± 20V	9961 pf @ 40 V	-	338W (TC)
BZT52-C33X	-	RFQ	9569	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Una granela	Activo	± 6.06%		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123				350 MW	SOD-123	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZT52-C33X-954			1																				900 MV @ 10 Ma	50 na @ 23.1 V								33 V	40 ohmios
BZX84-B20,215	-	RFQ	1267	Semiconductorores nxp	BZX84	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZX84-B20,215-954			1																				900 MV @ 10 Ma	50 na @ 14 V								20 V	55 ohmios
BZT52H-C3V6,115	-	RFQ	5971	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52			375 MW	SOD-123F	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C3V6,115-954			1																				900 MV @ 10 Ma	5 µA @ 1 V								3.6 V	95 ohmios
BZB84-C5V1,215	-	RFQ	6129	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	± 5%		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW	To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZB84-C5V1,215-954	EAR99	8541.10.0070	1	1 par Ánodo Común																			900 MV @ 10 Ma									5.1 V	60 ohmios
PMEG2010AJ, 115	-	RFQ	3718	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			Schottky		Sod-323f	-				2156-PMEG2010AJ, 115			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																	20 V	550 MV @ 1 A	70 µA @ 20 V	150 ° C	1A	40pf @ 1v, 1 MHz
PBSS304PZ, 135	0.1900	RFQ	38	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				2 W	SOT-223	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS304PZ, 135-954	EAR99	8541.21.0095	1																									60 V	4.5 A		100NA (ICBO)			PNP	375mv @ 225mA, 4.5a	150 @ 2a, 2v	130MHz
BZX79-C62,113	0.0200	RFQ	429	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C62,113-954			1																				900 MV @ 10 Ma	50 na @ 43.4 V								62 V	215 ohmios
BZV85-C43,133	-	RFQ	7382	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial				1.3 W	Do-41	descascar						0000.00.0000	1																				1 V @ 50 Ma	50 na @ 30 V								43 V	75 ohmios
PBSS5320D, 115	0.0600	RFQ	23	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457				750 MW	6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5320D, 115-954			1																									20 V	3 A		100NA (ICBO)			PNP	400mv @ 300mA, 3A	150 @ 2a, 2v	100MHz