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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZB784-C13,115 | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 180 MW | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB784-C13,115-954 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B24,315 | - | ![]() | 1145 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX884-B24,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TMB315 | 0.0300 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC859B, 215 | 0.0200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC859B, 215-954 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C3V0,115 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV90-C3V0,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B62,115 | 0.0300 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B62,115-954 | 9,366 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4260PANPSX | - | ![]() | 1672 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4260PANPSX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1004NR3 | 124.8400 | ![]() | 158 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | OM-780-2 | - | Ldmos | OM-780-2 | - | 2156-MHT1004NR3 | 3 | N-canal | 10 µA | 100 mA | 280W | 15.2db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZT, 215 | 0.0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA143ZT, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143TM, 315 | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTC143TM, 315-954 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C13,133 | 0.0300 | ![]() | 123 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C13,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 9.1 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ20B, 115 | 0.0200 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 400 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDZ20B, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG100T20elpx | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | - | 2156-PMEG100T20ELPX | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 2 A | 12 ns | 1.25 µA @ 100 V | 175 ° C | 2a | 200pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBHV9115TLH215 | 0.0900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PBHV9115TLH215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-07V, 115 | - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | BAS70 | Schottky | Sot-666 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 70 V | 70MA (DC) | 1 V @ 15 Ma | 10 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS101,215 | - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas101,215-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 300 V | 1.1 V @ 100 Ma | 50 ns | 150 na @ 250 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75,113 | 0.0200 | ![]() | 708 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C75,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 75 V | 255 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.3B2,115 | - | ![]() | 2424 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PZU4.3B2,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-10H, 115 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BCP56-10H, 115-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V8,235 | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C6V8,235-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB95XNE2X | 0.0900 | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMDPB95 | - | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMDPB95XNE2X-954 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18H455W23NR6 | 162.2600 | ![]() | 153 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | OM-1230-4L2S | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | OM-1230-4L2S | - | 2156-A2T18H455W23NR6 | 2 | N-canal | 10 µA | 1.08 A | 87W | 14.5dB @ 1.805Ghz | - | 31.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmpb23xnez | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | DFN2020MD-6 | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PMPB23XNEZ | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.600 | N-canal | 20 V | 7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 7a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1136 pf @ 10 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C10,315 | 0.0300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C10,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123ET, 215 | - | ![]() | 4805 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | PDTD123E | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PDTD123ET, 215-954 | 1 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 40 @ 50 mm, 5v | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S20010NR1 | 34.2200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270-2 | 1.6GHz ~ 2.2GHz | Ldmos | Un 270-2 | - | 2156-MRF6S20010NR1 | 9 | N-canal | 10 µA | 130 Ma | 10W | 15.5dB @ 2.17Ghz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6212-40C, 118 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK6212-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 V | 50A (TA) | 11.2mohm @ 12a, 10v | 2.8V @ 1MA | 33.9 NC @ 10 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 80W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV10700HSR5178 | 538.8700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-AFV10700HSR5178-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010EPASX | 0.0900 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | Schottky | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG2010EPASX-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.699 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 375 MV @ 1 A | 50 ns | 335 µA @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | 175pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C33,215 | 0.0200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C33,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios |
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