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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
PMEG100T20elpx	-	RFQ	3587	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SOD-128			Schottky			SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG100T20ELPX			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																									100 V		800 MV @ 2 A	12 ns	1.25 µA @ 100 V	175 ° C	2a	200pf @ 1v, 1 MHz
PBHV9115TLH215	0.0900	RFQ	12	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo												descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PBHV9115TLH215-954			1
BAS70-07V, 115	-	RFQ	9923	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	BAS70		Schottky			Sot-666	descascar						0000.00.0000	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																								2 Independientes	70 V	70MA (DC)	1 V @ 15 Ma		10 µA @ 70 V	150 ° C (Máximo)
BAS101,215	-	RFQ	9960	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Estándar			To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas101,215-954			1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																									300 V		1.1 V @ 100 Ma	50 ns	150 na @ 250 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
BZX79-C75,113	0.0200	RFQ	708	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW		ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C75,113-954			1																													900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv									75 V	255 ohmios
PZU4.3B2,115	-	RFQ	2424	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F				310 MW		SC-90	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PZU4.3B2,115-954			1																													1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 1 V									4.3 V	90 ohmios
BCP56-10H, 115	-	RFQ	9329	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo												descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BCP56-10H, 115-954		0000.00.0000	1
BZX84-C6V8,235	0.0200	RFQ	25	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C6V8,235-954			1																													900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V									6.8 V	15 ohmios
PMDPB95XNE2X	0.0900	RFQ	8729	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo						PMDPB95		-				descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMDPB95XNE2X-954			1																	-
A2T18H455W23NR6	162.2600	RFQ	153	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto		65 V		Montaje en superficie	OM-1230-4L2S		1.805GHz ~ 1.88GHz	Ldmos			OM-1230-4L2S	-				2156-A2T18H455W23NR6			2	N-canal			10 µA		1.08 A	87W	14.5dB @ 1.805Ghz																	-													31.5 V
Pmpb23xnez	0.1000	RFQ	3	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-udfn almohadilla exposición			Mosfet (Óxido de metal)			DFN2020MD-6	descascar	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PMPB23XNEZ	EAR99	8541.21.0075	3.600			N-canal						20 V	7a (TA)	1.8V, 4.5V	22mohm @ 7a, 4.5V	900MV @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 12V	1136 pf @ 10 V	-	1.7w (TA)
BZX884-C10,315	0.0300	RFQ	3	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882				250 MW		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-C10,315-954			1																													900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V									10 V	10 ohmios
PDTD123ET, 215	-	RFQ	4805	Semiconductorores nxp	PDTD123E	Una granela	Activo				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW		To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTD123ET, 215-954			1																																				50 V	500 mA		500NA			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	40 @ 50 mm, 5v		2.2 kohms	2.2 kohms
MRF6S20010NR1	34.2200	RFQ	500	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto		68 V		Montaje en superficie	Un 270-2		1.6GHz ~ 2.2GHz	Ldmos			Un 270-2	-				2156-MRF6S20010NR1			9	N-canal			10 µA		130 Ma	10W	15.5dB @ 2.17Ghz																	-													28 V
BUK6212-40C, 118	0.3300	RFQ	5	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			Dpak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK6212-40C, 118-954			1			N-canal						40 V	50A (TA)		11.2mohm @ 12a, 10v	2.8V @ 1MA	33.9 NC @ 10 V	± 16V	1900 pf @ 25 V	-	80W
PBSS5630PA, 115	0.1100	RFQ	1	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Powerudfn				2.1 W		3-Huson (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5630PA, 115-954			1																																				30 V	6 A		100na			PNP	350mv @ 300 Ma, 6a	190 @ 2a, 2v	80MHz
AFV10700HSR5178	538.8700	RFQ	50	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo												descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-AFV10700HSR5178-954			1
PMEG2010EPASX	0.0900	RFQ	27	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo				Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición			Schottky			DFN2020D-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG2010EPASX-954	EAR99	8541.10.0080	3.699		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																									20 V		375 MV @ 1 A	50 ns	335 µA @ 20 V	150 ° C (Máximo)	1A	175pf @ 1V, 1 MHz
TZ425N12KOFHPSA1	146.9300	RFQ	9819	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto			125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo					Soltero		-				2156-TZ425N12KOFHPSA1			2					300 mA														1.2 kV	800 A	1.5 V	14500A @ 50Hz	250 Ma	510 A											1 SCR
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C33,215-954			1																													900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V									33 V	80 ohmios
Php29n08t, 127	0.5400	RFQ	24	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	2156-PHP29N08T, 127-954			600			N-canal						75 V	27a (TC)	11V	50mohm @ 14a, 11v	5V @ 2mA	19 NC @ 10 V	± 30V	810 pf @ 25 V	-	88W (TC)
BZX79-C3V0,143	0.0200	RFQ	230	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				400 MW		ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C3V0,143-954			1																													900 MV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V									3 V	95 ohmios
NZX36A, 133	0.0200	RFQ	109	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%		-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				500 MW		ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX36A, 133-954			1																													1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 25.2 V									36 V	140 ohmios
PMP5201Y, 135	1.0000	RFQ	9027	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo						PMP5201						descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMP5201Y, 135-954	EAR99	8541.21.0095	1
Ph9130al115	0.2500	RFQ	153	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo						PH9130						descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-Ph9130al115-954			1
BAV170,215	-	RFQ	7248	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo												descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAV170,215-954			1
BZX884-B27315	0.0300	RFQ	479	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo												descascar					EAR99	8541.10.0050	1
BAS28,215	0.0300	RFQ	799	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BAS28		Estándar			Sot-143b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas28,215-954			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																								2 Independientes	75 V	215MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	1 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)
BZX384-B4V7,115	-	RFQ	3698	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384			300 MW		Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX384-B4V7,115-954			1																													1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 2 V									4.7 V	80 ohmios
BAV99W, 115	-	RFQ	2469	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, BAV99	Una granela	Activo				Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAV99		Estándar			Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAV99W, 115-954			1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																								Conexión de la Serie de 1 par	100 V	150 mA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)