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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BZX884-C13,315	-	RFQ	7950	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882	BZX884-C13		250 MW	DFN1006-2	descascar						0000.00.0000	1																						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V							13 V	10 ohmios
PMPB55XNEA, 115	-	RFQ	2259	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMPB55XNEA, 115-954			1
BZV55-C56,115	0.0200	RFQ	37	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C56,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V							56 V	200 ohmios
BZV85-C22,133	0.0300	RFQ	60	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C22,133-954			1																						1 V @ 50 Ma		50 na @ 15.5 V							22 V	25 ohmios
BAV99/8,235	-	RFQ	5453	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAV99				descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BAV99/8,235-954			1
BZV90-C6V2,115	0.1600	RFQ	4	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			1.5 W	SOT-223	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV90-C6V2,115-954			1																						1 V @ 50 Ma		3 µA @ 4 V							6.2 V	10 ohmios
Pdta123jqaz	-	RFQ	6946	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTA123JQAZ-954			1
PMBT4403YSX	0.0300	RFQ	300	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMBT4403YSX-954	EAR99	8541.21.0075	10,414																												40 V	600 mA	50NA (ICBO)			PNP	750mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 10mA, 1V	200MHz
PMEG2015EA115	-	RFQ	9032	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323		Schottky		Sod-323	descascar					EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																			20 V	660 MV @ 1.5 A		50 µA @ 15 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1.5a	25pf @ 5V, 1 MHz
PMEG4005EGW, 118	1.0000	RFQ	2203	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar						0000.00.0000	1
1PS74SB23,125	0.0900	RFQ	47	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-74, SOT-457		Schottky		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS74SB23,125-954			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																			25 V	450 MV @ 1 A		1 ma @ 25 V	125 ° C (Máximo)	1A	100pf @ 4V, 1 MHz
BZX84-A30,215	-	RFQ	3818	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23	descascar						0000.00.0000	1																						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv							30 V	80 ohmios
PMXB350UPEZ	0.0600	RFQ	675	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 3-xdfn		Mosfet (Óxido de metal)		DFN1010D-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMXB350UPEZ-954	EAR99	8541.21.0095	1			Canal P		20 V	1.2a (TA)	1.2V, 4.5V	447mohm @ 1.2a, 4.5V	950MV @ 250 µA	2.3 NC @ 4.5 V	± 8V	116 pf @ 10 V	-	360MW (TA), 5.68W (TC)
Buk7k89-100ex	1.0000	RFQ	9711	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					Buk7k89				descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK7K89-100EX-954	EAR99	8541.29.0095	1
BYR29X-600,127	0.5100	RFQ	5	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		Un 220F	descascar					EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																			600 V	1.7 V @ 8 A	75 ns	10 µA @ 600 V	150 ° C (Máximo)	8A	-
ACTT6B-800E, 118	-	RFQ	1824	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Actt6			D2pak	descascar					EAR99	8541.30.0080	1	Soltero			25 Ma											Lógica - Puerta sensible	800 V	6 A	1.5 V	51a, 56a	10 Ma
1N4741A, 133	0.0400	RFQ	18	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1N4741A, 133-954	EAR99	8541.10.0050	1
BUK7660-100A, 118	0.5500	RFQ	4	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK7660-100A, 118-954			1			N-canal		100 V	26a (TC)	10V	60mohm @ 15a, 10v	4V @ 1MA		± 20V	1377 pf @ 25 V	-	106W (TC)
PZU24BA, 115	0.0300	RFQ	124	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU24BA, 115-954			1																						1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V							24 V	30 ohmios
BC55-10PA, 115	1.0000	RFQ	5909	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Powerudfn			650 MW	3-Huson (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC55-10PA, 115-954			1																												60 V	1 A	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
BZV55-B3V3,115	0.0200	RFQ	191	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B3V3,115-954			1																						900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V							3.3 V	95 ohmios
BZV55-C5V1,115	0.0200	RFQ	84	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C5V1,115-954			1																						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V							5.1 V	60 ohmios
NX7002BKW115	0.0200	RFQ	31	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8541.21.0095	1
2PA1576Q, 115	0.0200	RFQ	28	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			200 MW	Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-2PA1576Q, 115-954	EAR99	8541.21.0075	1																												50 V	150 Ma	100NA (ICBO)			PNP	500mV @ 5 mm, 50 Ma	120 @ 1 MMA, 6V	100MHz
BZV85-C24,133	-	RFQ	7712	Semiconductorores nxp	BZV85	Una granela	Activo	± 5%	200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZV85-C24,133-954			1																						1 V @ 50 Ma		50 na @ 17 V							24 V	30 ohmios
BZV55-C6V2,115	0.0200	RFQ	93	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C6V2,115-954			1																						900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V							6.2 V	10 ohmios
PMCM6501VNE/S500Z	0.1900	RFQ	4	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMCM6501VNE/S500Z-954			1
PMBT3906,235	0.0200	RFQ	157	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906		250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMBT3906,235-954			1																												40 V	200 MA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
BZT52H-B4V3,115	0.0200	RFQ	73	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-B4V3,115-954			1																						900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V							4.3 V	95 ohmios
BZX79-B5V1,143	0.0200	RFQ	185	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B5V1,143-954			1																						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V							5.1 V	60 ohmios