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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
PDTD123ET, 215	-	RFQ	4805	Semiconductorores nxp	PDTD123E	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW		To-236ab	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTD123ET, 215-954			1																														50 V	500 mA	500NA			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 2.5 mA, 50 mA	40 @ 50 mm, 5v		2.2 kohms	2.2 kohms
PEMB16,115	0.0400	RFQ	12	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PEMB16,115-954			1
BZB84-C51,215	1.0000	RFQ	2995	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW		Sot-23	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común																						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 35.7 V								51 V	180 ohmios
Pdta123jqaz	-	RFQ	6946	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTA123JQAZ-954			1
BZX79-B43,133	-	RFQ	4691	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79-B43		400 MW		ALF2	descascar						0000.00.0000	1																							900 MV @ 10 Ma		50 na @ 30.1 V								43 V	150 ohmios
PUMF12,115	0.0300	RFQ	122	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PUMF12,115-954			1
PDTB114	0.0300	RFQ	7334	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTB114		320 MW		To-236ab	descascar	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTB114	EAR99	8541.21.0075	6,000																														50 V	500 mA	500NA			PNP - Pre -Sesgado	100mv @ 2.5mA, 50 mA	70 @ 50 mm, 5V	140 MHz	10 kohms	10 kohms
BZX79-C10,113	0.0200	RFQ	345	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW		ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C10,113-954			1																							900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V								10 V	20 ohmios
BC847CW, 115	-	RFQ	5099	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			200 MW		Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC847CW, 115-954			1																														45 V	100 mA	15NA (ICBO)			NPN	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	100MHz
BZX79-B2V7,143	0.0200	RFQ	80	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW		ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B2V7,143-954			1																							900 MV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V								2.7 V	100 ohmios
TD780N18KOFHPSA1	377.9300	RFQ	2	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		135 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				Conexión de la Serie: Todos los SCRS		-				2156-TD780N18KOFHPSA1			1				300 mA												1.8 kV	1050 A	2 V	23500A	250 Ma	775 A								2 SCRS
PDTA114TM315	0.0200	RFQ	450	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8542.21.0095	15,000
PMBT4403YSX	0.0300	RFQ	300	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMBT4403YSX-954	EAR99	8541.21.0075	10,414																														40 V	600 mA	50NA (ICBO)			PNP	750mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 10mA, 1V	200MHz
PZU3.0B1,115	0.0300	RFQ	13	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW		Sod-323f	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PZU3.0B1,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 100 Ma		10 µA @ 1 V								3 V	95 ohmios
PMBT3906,235	0.0200	RFQ	157	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906		250 MW		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMBT3906,235-954			1																														40 V	200 MA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
PZU24BA, 115	0.0300	RFQ	124	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW		Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU24BA, 115-954			1																							1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V								24 V	30 ohmios
PBSS4230T, 215	1.0000	RFQ	9776	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			480 MW		To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS4230T, 215-954	EAR99	8541.21.0075	1																														30 V	2 A	100NA (ICBO)			NPN	320MV @ 200MA, 2A	300 @ 1a, 2v	230MHz
BZX884-C10,315	0.0300	RFQ	3	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-C10,315-954			1																							900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V								10 V	10 ohmios
PSMN009-100P, 127	1.5000	RFQ	291	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN009-100P, 127-954			217			N-canal		100 V	75A (TC)	10V	8.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	156 NC @ 10 V	± 20V	8250 pf @ 25 V	-	230W (TC)
PZU7.5B2L, 315	0.0300	RFQ	117	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU7.5B2L, 315-954			10,764																							1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 4 V								7.5 V	10 ohmios
BZX84-A30,215	-	RFQ	3818	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW		Sot-23	descascar						0000.00.0000	1																							900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv								30 V	80 ohmios
BC857AW, 115	0.0200	RFQ	279	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC857		200 MW		Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC857AW, 115-954		0000.00.0000	1																														45 V	100 mA	15NA (ICBO)			PNP	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	125 @ 2mA, 5V	100MHz
PZU9.1B2L, 315	0.0300	RFQ	31	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Pzu9.1b2l, 315-954			10,764																							1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 6 V								9.1 V	10 ohmios
PDTA114EMB, 315	-	RFQ	6345	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-101, SOT-883	PDTA114		250 MW		DFN1006B-3	descascar						0000.00.0000	1																														50 V	100 mA	1 µA			PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	180 MHz	10 kohms	10 kohms
BTA204X-600C, 127	0.2500	RFQ	20	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	BTA204				Un 220F	descascar					EAR99	8541.30.0080	1.202	Soltero			20 Ma											Estándar	600 V	4 A	1.5 V	25a, 27a	35 Ma
PDZ3.9BGW, 115	1.0000	RFQ	4316	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.10.0050	1
PMEG6030ETPX	-	RFQ	2481	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		Schottky			SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG6030ETPX			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																				60 V	530 MV @ 3 A	12 ns	200 µA @ 60 V	175 ° C	3A	360pf @ 1v, 1 MHz
Pzu4.7b, 115	0.0300	RFQ	14	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW		Sod-323f	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-Pzu4.7b, 115-954	EAR99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V								4.66 V	80 ohmios
Pumh2,115	0.0300	RFQ	393	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PUMH2,115-954			1
BZT52H-B16,115	-	RFQ	2958	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F			375 MW		SOD-123F	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BZT52H-B16,115-954			1																							900 MV @ 10 Ma		50 na @ 11.2 V								16 V	20 ohmios