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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | BZT52H-C4V3,115 | 0.0200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C4V3,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C75,115 | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C75,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B20,115 | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84J-B20,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,133 | 0.0200 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C22,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW89,215 | 0.0200 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW89 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCW89,215-954 | 1 | 60 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 150mv @ 2.5mA, 50 mA | 120 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU768F, 115 | 0.1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-343f | 220MW | 4-DFP | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BFU768F, 115 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 13.1db | 2.8V | 70 Ma | NPN | 155 @ 10mA, 2V | 110 GHz | 1.1db ~ 1.2db @ 5ghz ~ 5.9Ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V6,133 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B3V6,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb9,115 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Pumb9 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pumb9,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V6,133 | 0.0200 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C5V6,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPE115 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMN27XPE115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R0-40C, 118 | - | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK762R0-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 11323 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C47,215 | - | ![]() | 6984 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX84 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84-C47,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt61010pyx | - | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | 1.5 W | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT61010PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 V | 10 A | 100na | PNP | 800mv @ 1a, 10a | 180 @ 500mA, 2V | 90MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX600HSR5 | 138.9000 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 179 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | 1.8MHz ~ 400MHz | LDMOS (dual) | Ni-780S-4L | - | 2156-MRFX600HSR5 | 2 | 2 Canal | 10 µA | 100 mA | 600W | 26.4db @ 230MHz | - | 65 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-100PS127 | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C30,115 | 1.0000 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BZV90-C30 | 1.5 W | SOT-223 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035PKX | - | ![]() | 3836 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PHPT610035 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT610035PKX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B1,115 | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PZU3.0B1,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMF12,115 | 0.0300 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PUMF12,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMH13147 | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | 2156-PQMH13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B20133 | - | ![]() | 6562 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B20133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5350D, 115 | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | 750 MW | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS5350D, 115-954 | 1 | 50 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200MA, 2a | 100 @ 2a, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B18,215 | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B18 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bav70sraz | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Estándar | DFN1412-6 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BAV70SRAZ-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 par Cátodo Común | 100 V | 355mA | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C22,115 | 0.0200 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C22,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C5V1,133 | 0.0400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C5V1,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 2 V | 5.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PASX | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC53-16PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848B, 235 | - | ![]() | 4135 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V0,115 | 0.0200 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C3V0,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios |
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