SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PHPT60406NYX NXP Semiconductors PhPT60406NYX -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 1.35 W LFPAK56, POWER-SO8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PHPT60406NYX-954 EAR99 8541.29.0075 1 40 V 6 A 100na NPN 380mv @ 300 Ma, 6a 230 @ 500 mA, 2V 153MHz
PSMN015-100B,118 NXP Semiconductors PSMN015-100B, 118 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-PSMN015-100B, 118-954 EAR99 8541.29.0075 407 N-canal 100 V 75A (TA) 10V 15mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 300W (TA)
BTA202X-600E,127 NXP Semiconductors BTA202X-600E, 127 0.2800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Un 220F descascar EAR99 8541.30.0080 1.069 Soltero 12 MA Lógica - Puerta sensible 600 V 2 A 1.5 V 14a, 15.4a 10 Ma
BAS321115 NXP Semiconductors BAS321115 1.0000
RFQ
ECAD 1886 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0070 1
BUK7509-55A,127 NXP Semiconductors BUK7509-55A, 127 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BUK7509-55A, 127-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 9mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 0 V ± 20V 3271 pf @ 25 V - 211W (TC)
PMSTA56,115 NXP Semiconductors PMSTA56,115 0.0200
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMSTA56,115-954 1,000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
BC51PASX NXP Semiconductors Bc51pasx 0.0600
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-udfn almohadilla exposición 420 MW DFN2020D-3 descascar EAR99 8541.29.0075 1 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
PMV20EN215 NXP Semiconductors PMV20EN215 1.0000
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-PMV20EN215-954 1
BZX79-C75,133 NXP Semiconductors BZX79-C75,133 0.0200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C75,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Obsoleto 65 V Montaje en superficie Variante A 270-16, Plana de Cables 920MHz ~ 960MHz LDMOS (dual) Un 270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 EAR99 8542.33.0001 6 2 Canal 10 µA 285 Ma 3.2W 35.9db - 28 V
BZV55-B3V0,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V0,115 0.0200
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Llds; Mínimo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV55-B3V0,115-954 1 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
PDTC144WM,315 NXP Semiconductors PDTC144WM, 315 0.0300
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTC144 250 MW DFN1006-3 descascar EAR99 8541.21.0095 15,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 47 kohms 22 kohms
BZV90-C10,115 NXP Semiconductors BZV90-C10,115 0.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223 descascar EAR99 8541.10.0050 1.745 1 V @ 50 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
MRF300AN NXP Semiconductors MRF300an -
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 133 V A Través del Aguetero TO-247-3 1.8MHz ~ 250MHz Ldmos TO-247-3 - 2156-MRF300an 1 N-canal 10 µA 100 mA 300W 28.2db - 50 V
AFT21H350W03SR6 NXP Semiconductors AFT21H350W03SR6 199.4800
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-1230-4S 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos NI-1230-4S - 2156-ATAIN21H350W03SR6 2 N-canal 10 µA 763 Ma 63W 16.4db @ 2.11Ghz - 28 V
PMBT3906,215 NXP Semiconductors PMBT3906,215 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3906 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMBT3906,215-954 EAR99 8541.21.0095 1 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
PEMB17,115 NXP Semiconductors PEMB17,115 0.0400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PEMB17,115-954 EAR99 8541.21.0095 1
1PS70SB20,115 NXP Semiconductors 1PS70SB20,115 0.0400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Schottky Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1PS70SB20,115-954 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 500 Ma 100 µA @ 35 V 125 ° C (Máximo) 500mA 90pf @ 0V, 1 MHz
TDZ8V2J,115 NXP Semiconductors TDZ8V2J, 115 0.0300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F TDZ8V2 500 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-TDZ8V2J, 115-954 10,414 1.1 V @ 100 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 10 ohmios
BZX585-B56,115 NXP Semiconductors BZX585-B56,115 -
RFQ
ECAD 2618 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585-B56 300 MW Sod-523 descascar 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
BCW33,215 NXP Semiconductors BCW33,215 0.0200
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BCW33,215-954 1 32 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 210 MV @ 2.5mA, 50 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
BTA216-600F,127 NXP Semiconductors BTA216-600F, 127 0.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-BTA216-600F, 127-954 1
2PB1219AS,115 NXP Semiconductors 2PB1219As, 115 -
RFQ
ECAD 6663 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2PB1219As, 115-954 1
BZX585-C2V7,135 NXP Semiconductors BZX585-C2V7,135 0.0300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BZX585-C2V7,135-954 10,764 1.1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
1N4742A,113 NXP Semiconductors 1N4742A, 113 -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1N4742A, 113-954 1
TDZ3V3J,115 NXP Semiconductors TDZ3V3J, 115 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F TDZ3V3 500 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-TDZ3V3J, 115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
BC69-16PA,115 NXP Semiconductors BC69-16PA, 115 1.0000
RFQ
ECAD 8221 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn BC69 420 MW 3-Huson (2x2) descascar 0000.00.0000 1 20 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200Ma, 2a 100 @ 500 mA, 1V 140MHz
PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN018-100ESFQ 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-PSMN018-100ESFQ-954 1 N-canal 100 V 53A (TA) 7V, 10V 18mohm @ 15a, 10v 4V @ 1MA 21.4 NC @ 10 V ± 20V 1482 pf @ 50 V - 111W (TA)
BC846AW,115 NXP Semiconductors Bc846aw, 115 0.0200
RFQ
ECAD 535 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BC846AW, 115-954 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 100MHz
PZU20B2,115 NXP Semiconductors PZU20B2,115 0.0300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 310 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PZU20B2,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 15 V 20 V 20 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock