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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
PDTC144VU, 115	0.0200	RFQ	14	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTC144VU, 115-954			14,990
1PS70SB14,115	0.0300	RFQ	297	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS70SB14,115-954			10,051
PDTA123TT, 215	0.0200	RFQ	108	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTA123TT, 215-954			1
BZT52H-C68,115	0.0200	RFQ	181	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C68,115-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 47.6 V							68 V	160 ohmios
PZU9.1bl, 315	0.0300	RFQ	92	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Pzu9.1bl, 315-954			1														1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 6 V							9.1 V	10 ohmios
PNS40010er, 115	-	RFQ	6908	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W		Estándar		SOD-123W	-	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PNS40010er, 115-954			1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V	1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 400 V	175 ° C (Máximo)	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
BZV85-C62,113	0.0400	RFQ	55	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C62,113-954			1														1 V @ 50 Ma		50 na @ 43 V							62 V	175 ohmios
BZV55-B4V7,115	-	RFQ	9228	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar					0000.00.0000	1														900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V							4.7 V	80 ohmios
BLS7G2729L-350P, 11	-	RFQ	1733	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo									-			2156-BLS7G2729L-350P, 11			1
PBSS4021PX, 115	1.0000	RFQ	1763	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA			2.5 W	Sot-89	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS4021PX, 115-954	EAR99	8541.21.0095	1																				20 V	6.2 A	100na			PNP	265mv @ 345mA, 6.9a	150 @ 4a, 2v	105MHz
PMEG4005EGWJ	-	RFQ	1938	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123		Schottky		SOD-123	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG4005EGWJ-954	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V	470 MV @ 500 Ma		100 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)	500mA	43pf @ 1v, 1 MHz
BAS35,215	0.0400	RFQ	60	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas35,215-954	EAR99	8541.10.0070	1
BAS16,235	0.0200	RFQ	2	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, BAS16	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16	Estándar		To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas16,235-954			1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (Máximo)	215 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
BZX585-B7V5,115	-	RFQ	9498	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-B7V5,115-954			1														1.1 V @ 100 Ma		1 µA @ 5 V							7.5 V	10 ohmios
BZV55-B10,115	0.0200	RFQ	351	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B10,115-954			1														900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V							10 V	20 ohmios
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C30,115-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V							30 V	40 ohmios
BAW56W, 135	0.0200	RFQ	210	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					Baw56				descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Baw56W, 135-954	EAR99	8541.10.0070	1
BZX585-B51,115	0.0300	RFQ	104	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-B51,115-954			9,366														1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 35.7 V							51 V	180 ohmios
BZX585-C20,115	1.0000	RFQ	8197	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-C20,115-954	EAR99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V							20 V	55 ohmios
BZT52H-B68,115	-	RFQ	6010	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-B68,115-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 47.6 V							68 V	160 ohmios
NZH10C, 115	0.0200	RFQ	30	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 3%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZH10C, 115-954			1														900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V							10 V	8 ohmios
BZX84-B10,215	0.0200	RFQ	1	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-B10,215-954			1														900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V							10 V	20 ohmios
PDZ3.6b, 115	0.0200	RFQ	24	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			400 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDZ3.6b, 115-954	EAR99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 Ma		5 µA @ 1 V							3.6 V	90 ohmios
BUK6213-30C, 118	0.2400	RFQ	17	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK6213-30C, 118-954			1		N-canal	30 V	47a (TC)	10V	14mohm @ 10a, 10v	2.8V @ 1MA	19.5 NC @ 10 V	± 16V	1108 pf @ 25 V	-	60W (TC)
BZX79-C13,133	0.0200	RFQ	170	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C13,133-954			1														900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V							13 V	30 ohmios
PZU11B3,115	0.0300	RFQ	12	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	Sod-323f	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU11B3,115-954	EAR99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 Ma		100 na @ 8 V							11 V	10 ohmios
Buk7y59-60ex	-	RFQ	7909	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669		Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-buk7y59-60ex-954	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	60 V	17a (TC)	10V	59mohm @ 5a, 10v	4V @ 1MA	7.8 NC @ 10 V	± 20V	494 pf @ 25 V	-	37W (TC)
BZX79-C30,143	0.0200	RFQ	165	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C30,143-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv							30 V	80 ohmios
1N4737A, 133	-	RFQ	5624	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4737		1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 5 V							7.5 V	4 ohmios
Buk763r1-40b, 118	1.1900	RFQ	12	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK763R1-40B, 118-954			1		N-canal	40 V	75A (TC)	10V	3.1mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	94 NC @ 10 V	± 20V	6808 pf @ 25 V	-	300W (TC)