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Productos de semiconductorores discretos (447)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HZU3BLL-JTRF-E Renesas Hzu3bll-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Renesas * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833 1
NP28N10SDE-E1-AY Renesas NP28N10SDE-E1-AY 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (MP-3ZK) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-NP28N10SDE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 28a (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 1.2W (TA), 100W (TC)
UPA2378T1P-E1-A Renesas UPA378T1P-E1-A 0.3700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156 UPA2378T1P-E1-A EAR99 8541.29.0095 1
2SJ162-E Renesas 2SJ162-E -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 Renesas - Una granela Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p - 2156-2SJ162-E 1 Canal P 160 V 7a (TA) 10V - 1.45V @ 100 Ma ± 15V 900 pf @ 10 V - 100W (TC)
RD8.2P-T2-AZ Renesas RD8.2P-T2-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 6.1% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RD8.2P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 20 µA @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
HZU5.6B1TRF-E-Q Renesas Hzu5.6b1trf-eq 0.0500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Renesas * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-Hzu5.6b1trf-eq-1833 1
HZU33B-JTRF-E Renesas HZU33B-JTRF-E 0.0700
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Renesas * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
HZC24TRF-E Renesas HZC24TRF-E 0.0900
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Renesas * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-HZC24TRF-E-1833 1
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911ate (0) -T1 -A -
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie SC-95 Mosfet (Óxido de metal) SC-95 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156 UPA1911ate (0) -T1 -A EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 2.3 NC @ 4 V ± 12V 370 pf @ 10 V - 200MW (TA)
HZM24NB2TR-E Renesas HZM24NB2TR-E 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.19% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM24NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 19 V 24.25 V 60 ohmios
HZM6.8NB1TL-E Renesas Hzm6.8nb1tl-e 0.1600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 1.97% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM6.8NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3.5 V 6.6 V 30 ohmios
HZ18-1JREB-E Renesas HZ18-1JREB-E 0.4300
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 Renesas Hz Una granela Obsoleto - 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZ18-1JREB-E EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 13 V
RD24P-T2-AZ Renesas Rd24p-t2-az -
RFQ
 ECAD 8161 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 5.83% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RD24P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 19 V 24 V 70 ohmios
RD12P(0)-T1-AZ Renesas RD12P (0) -T1 -AZ 0.4000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RD12P (0) -T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 9 V 12 V 25 ohmios
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-AZ -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) MP-3 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SK3813-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 1MA 96 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 10 V - 1W (TA), 84W (TC)
RD13P(1)-T1-AZ Renesas RD13P (1) -T1 -AZ 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 6.54% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1 W descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RD13P (1) -T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 10 V 13 V 30 ohmios
2SA1871-T1-AZ Renesas 2SA1871-T1-AZ 0.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W MP-2 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SA1871-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 60 mm, 300 mA 30 @ 100 mapa, 5v 30MHz
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-E1-AY 0.7100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (MP-3ZK) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SK4178-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 48a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 10 V - 1W (TA), 33W (TC)
RD20P-T1-AZ Renesas Rd20p-t1-az 0.2400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 6% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RD20P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 15 V 20 V 55 ohmios
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-Az 1.8100
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) To-263, un 220SMD - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ604-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 45a (TC) 4V, 10V 30mohm @ 23a, 10v 2.5V @ 1MA 63 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 70W (TC)
2SJ607-ZJ-AZ Renesas 2SJ607-ZJ-AZ 1.0000
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ607-ZJ-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 83A (TC) 4V, 10V 11mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 1MA 188 NC @ 10 V ± 20V 7500 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 160W (TC)
HZM5.6NB2TR-E Renesas HZM5.6NB2TR-E 0.1600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.14% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM5.6NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 2.5 V 5.61 V 80 ohmios
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR (0) -E1 -AZ 1.7100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) UPA2793 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156 UPA2793GR (0) -E1 -AZ EAR99 8541.29.0095 1 Vecino del canal 40V 7a (TA) 15mohm @ 3.5a, 10v, 26mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1MA 40nc @ 10V, 45nc @ 10V 2200pf @ 10V -
HZM18NB2TL-E Renesas HZM18NB2TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM18NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 13 V 17.96 V 45 ohmios
RJL5013DPP-E0#T2 Renesas RJL5013DPP-E0#T2 -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-RJL5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 52 N-canal 500 V 14a (TA) 10V 510mohm @ 7a, 10v 4V @ 1MA 37.6 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 30W (TC)
RKR104BKH#P1 Renesas RKR104BKH#P1 0.1700
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Schottky Dura - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RKR104BKH#P1 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 700 Ma 50 µA @ 40 V 150 ° C 1A 35pf @ 10V, 1 MHz
2SK2857-T1-AZ Renesas 2SK2857-T1-AZ 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie To-243AA Mosfet (Óxido de metal) SC-62 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SK2857-T1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 60 V 4A (TA) 4V, 10V 150mohm @ 2.5a, 10v 2v @ 1 mapa 10.6 NC @ 10 V ± 20V 265 pf @ 10 V - 2W (TA)
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas RJH60D1DPP-E0#T2 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 30 W Un 220FP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RJH60D1DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 300V, 10a, 5ohm, 15V 70 ns Zanja 600 V 20 A 2.5V @ 15V, 10a 100 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 13 NC 30ns/42ns
HZM16NB1TR-E Renesas HZM16NB1TR-E 0.1600
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.04% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM16NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 12 V 15.69 V 40 ohmios
HZM4.7NB1TR-E Renesas Hzm4.7nb1tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto ± 2.1% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-MPAK - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-HZM4.7NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 1 V 4.52 V 130 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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