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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
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![]() | U1898 | 0.0600 | ![]() | 9606 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.841 | N-canal | 16pf @ 20V | 40 V | 15 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86252L | - | ![]() | 9092 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDMS86252L | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 150 V | 4.4a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 4.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1335 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjz594jctf | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-623F | 100 MW | SOT-623F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3.5pf @ 5V | 20 V | 150 µA @ 5 V | 600 MV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa6n70 | 1.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 700 V | 6.4a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 152W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu6n25tu | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N08 | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 11.2a (TC) | 10V | 115mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45C11 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D45C | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 4 A | 10 µA | PNP | 500mv @ 50 mm, 1a | 40 @ 200Ma, 1V | 32MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BTA | 1.0000 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 270MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4391 | 1.0000 | ![]() | 1098 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 14pf @ 20V | 30 V | 50 Ma @ 20 V | 4 v @ 1 na | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JFTJ105 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | - | 25 V | 500 mA @ 15 V | 4.5 V @ 1 µA | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw720btm | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6690S | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40a (TA) | 10V | 16mohm @ 10a, 10v | 3V @ 1MA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 2010 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC640 | 0.0600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 80 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629D3STR4885 | 0.3400 | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 225 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 16V | 1285 pf @ 25 V | - | 150W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fmka140 | 0.3700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf5p10 | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 2.9a (TC) | 10V | 1.05ohm @ 1.45a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bdw94c | 1.0000 | ![]() | 8958 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12 A | 1mera | PNP - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 750 @ 5a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z43vc | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 30.1 V | 43 V | 141 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n310as3st | 0.3300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 62a (TC) | 4.5V, 10V | 10ohm @ 62a, 10a | 3V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6679z | - | ![]() | 1993 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 94 NC @ 10 V | +20V, -25V | 3803 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8878 | - | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 15 V | - | 47.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM20SM60A | 20.6100 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | SPM® | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 48 | 3 fase | 20 A | 600 V | 2500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.0400 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z2V4C | 0.0300 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,663 | 1 V @ 10 Ma | 45 µA @ 1 V | 2.4 V | 94 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3STK | 0.5000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA10 | 0.0200 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.660 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 40 @ 5 µA, 10V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bav21tr | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAV21 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSD2007ATF | 0.5300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SSD2007 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 2A | 300mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 15NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2710_SN00168 | 1.0000 | ![]() | 5684 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDP2710 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7200 | - | ![]() | 9382 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | FDMC72 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW, 900MW | 8-Power33 (3x3) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6a, 8a | 23.5mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 660pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico |
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