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Productos de semiconductoros discretos (6716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
1N5360B Microsemi Corporation 1N5360B -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5360 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 18 V 25 V 4 ohmios
JANTX2N2325S Microsemi Corporation Jantx2n2325s -
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-STD-701 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 150 V 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 2.2 V 1.6 A 10 µA Puerta sensible
MSKD120-08 Microsemi Corporation MSKD120-08 -
RFQ
 ECAD 3180 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D1 Estándar D1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 800 V 120a 1.43 V @ 300 A 6 Ma @ 800 V
2N2328U4 Microsemi Corporation 2n2328u4 -
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo U4 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 300 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
JANTX1N4494C Microsemi Corporation Jantx1n4494c 33.2550
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4494 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 250 na @ 128 V 160 V 1000 ohmios
BFY90 Microsemi Corporation BFY90 -
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 ECAD 4068 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN 200MW TO-72 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 20dB 15V 50mera NPN 20 @ 25 mm, 1V 1.3GHz 2.5dB ~ 5dB @ 500MHz
SD1057-01H Microsemi Corporation SD1057-01H -
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
1N5949BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5949Be3/TR13 -
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 ECAD 1273 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5949 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 V 250 ohmios
MS2356 Microsemi Corporation MS2356 -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
68191 Microsemi Corporation 68191 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
APT50M65B2LLG Microsemi Corporation Apt50m65b2llg -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Apt50m65 Mosfet (Óxido de metal) T-Max ™ [B2] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 67a (TC) 10V 65mohm @ 33.5a, 10V 5V @ 2.5MA 141 NC @ 10 V ± 30V 7010 pf @ 25 V - 694W (TC)
JAN2N3811L Microsemi Corporation Jan2n3811l -
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/336 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N3811 350MW Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 50mera 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 250mv @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1 mapa, 5V -
JAN2N6250 Microsemi Corporation Jan2n6250 -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/510 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 3 2N6250 6 W TO-3 (TO-204AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 275 V 10 A 1mera NPN 1.5V @ 1.25a, ​​10a 8 @ 10a, 3V -
JANTXV2N2324A Microsemi Corporation Jantxv2n2324a -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 2 MA 100 V 600 MV - 20 µA 220 Ma Puerta sensible
3EZ30D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ30D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3EZ30 3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 22.5 V 30 V 16 ohmios
JANTXV2N2329 Microsemi Corporation Jantxv2n2329 -
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 2 MA 400 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
APTGT200SK120D3G Microsemi Corporation Aptgt200sk120d3g -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 1050 W Estándar D3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.1V @ 15V, 200a 6 MA No 14 NF @ 25 V
APT6040BNG Microsemi Corporation Apt6040bng -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS IV® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 400mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 30V 2950 pf @ 25 V - 310W (TC)
APTM120DA68T1G Microsemi Corporation APTM120DA68T1G -
RFQ
 ECAD 3214 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 15A (TC) 10V 816mohm @ 12a, 10v 5V @ 2.5MA 260 NC @ 10 V ± 30V 6696 pf @ 25 V - 357W (TC)
APTM100VDA35T3G Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 7® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 390W Sp3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 1000V (1kV) 22A 420mohm @ 11a, 10v 5V @ 2.5MA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
ARF473 Microsemi Corporation ARF473 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 500 V - 130MHz Mosfet - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 10A 150 Ma 300W 14dB - 135 V
MSDM50-16 Microsemi Corporation MSDM50-16 -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar M2-1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 50 A Fase triple 1.6 kV
JANTX1N4964DUS Microsemi Corporation Jantx1n4964dus 32.2500
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4964 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 13.7 V 18 V 4 ohmios
MSD75-08 Microsemi Corporation MSD75-08 -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis M2 Estándar SM2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.6 V @ 150 A 300 µA @ 800 V 75 A Fase triple 800 V
2EZ7.5D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ7.5D/TR8 -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ7.5 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5 V 7.5 V 2 ohmios
1N4698 (DO35) Microsemi Corporation 1N4698 (DO35) -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4698 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 8.4 V 11 V
JANTX2N6766 Microsemi Corporation Jantx2n6766 -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/543 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE Mosfet (Óxido de metal) A 3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 30A (TC) 10V 90mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 115 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
1N5377AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N537777AE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5377 5 W T-18 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 65.5 V 91 V 75 ohmios
BYI-1T Microsemi Corporation Byi-1t -
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 ECAD 1780 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 55V Sesgo del Amplificador lineal Montaje 55 pasteles BYI-1 55 pasteles descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 700mA Bysistor
JANTX1N4965C Microsemi Corporation Jantx1n4965c 18.2850
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 ECAD 2707 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4965 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 15.2 V 20 V 4.5 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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