SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL (TE85L, F 0.6800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 2SK2145 300 MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 13PF @ 10V 6 Ma @ 10 V 200 MV @ 100 na
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL, L1Q 0.9400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R704 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 92a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 46a, 10V 2.4V @ 200 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 20 V - 960MW (TA), 81W (TC)
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D (STA4, Q, M) -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 4A (TA) 10V 1.88ohm @ 2a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 35W (TC)
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C, S1F 22.7000
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 58a (TC) 18V 37mohm @ 29a, 18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V, -10V 2288 pf @ 400 V - 156W (TC)
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK14N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tph6400enh, l1q 1.7300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH6400 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 13a (TA) 10V 64mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 300 µA 11.2 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z, LQ 4.9000
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK125V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 125mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 300 V - 190W (TC)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 25A (TA) 10V 150MOHM @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ16 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 11 V 16 V 30 ohmios
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero TRS12A65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 12 a 0 ns 60 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 12A 44pf @ 650V, 1MHz
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC, L1XHQ 1.2500
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn XPN7R104 Mosfet (Óxido de metal) 8-Tson Advance-WF (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 20A (TA) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1290 pf @ 10 V - 840MW (TA), 65W (TC)
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L, LXHQ 0.9400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ20S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 20A (TA) 6V, 10V 22.2mohm @ 10a, 10v 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V, -20V 1850 pf @ 10 V - 41W (TC)
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LXHQ 1.0700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK40S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 40a (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 200 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 10 V - 88.2W (TC)
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L, LXHQ 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ60S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 60A (TA) 6V, 10V 11.2mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V, -20V 7760 pf @ 10 V - 100W (TC)
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
ECAD 8560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4K1A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 2a (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10v 4V @ 190 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X, S5X 3.8400
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK22A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 150mohm @ 11a, 10v 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y, S4X 1.8300
RFQ
ECAD 95 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK380A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9.7a (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN5R203 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 19a, 10v 2.1V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1975 pf @ 15 V - 610MW (TA), 61W (TC)
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5, S1F 6.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK28N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 130mohm @ 13.8a, 10v 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL, L1Q 1.5800
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R405 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 45 V 120a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50A, 10V 2.4V @ 500 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 22.5 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL, L1Q 3.0600
RFQ
ECAD 458 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPWR6003 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.6mohm @ 50A, 10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 15 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL, L1Q 1.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R70 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 45a, 10v 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 50 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL, L1Q 2.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R306 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
RFQ
ECAD 144 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK10A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5, LQ 5.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK28V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 140mohm @ 13.8a, 10v 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0.1900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SA2154 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, LF 0.5300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables 2SC6100 500 MW UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 2.5 A 100NA (ICBO) NPN 140mv @ 20 mm, 1a 400 @ 300mA, 2V -
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q (CM -
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn TPCC8105 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) - 1 (ilimitado) 264-TPCC8105L1Q (CMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10V 2V @ 500 µA 76 NC @ 10 V +20V, -25V 3240 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.197 ", 5.00 mm de Ancho) XPH6R30 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 45a (TA) 6V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10V 3.5V @ 500 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 10 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK110A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 110MOHM @ 12A, 10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 300 V - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock