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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X, S1F 4.6600
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK25N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 25A (TA) 10V 125mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6K411 Mosfet (Óxido de metal) UF6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 10a (TA) 2.5V, 4.5V 12mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 1MA 9.4 NC @ 4.5 V ± 12V 710 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J375 Mosfet (Óxido de metal) S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 V +6V, -8V 270 pf @ 10 V - 600MW (TA)
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2105 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2110 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 4.7 kohms
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300Anh, LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN3300 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 9.4a (TC) 10V 33mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 100 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 50 V - 700MW (TA), 27W (TC)
RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (J -
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD2695 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 100MHz
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J351 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 3.5a (TA) 4V, 10V 134mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 15.1 NC @ 10 V +10V, -20V 660 pf @ 10 V - 2W (TA)
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS12N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - 1 (ilimitado) 264-TRS12N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 6a (DC) 1.6 v @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V 175 ° C
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 22 kohms
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 (TE12L, F) 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 20 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 190mv @ 53MA, 1.6a 200 @ 500mA, 2V -
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6901 400MW VS-6 (2.9x2.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 1a, 700 mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 170mv @ 6mA, 300 mm / 230mv @ 10 mA, 300 mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100 mm, 2V -
RN2304,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200MW US6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4989 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 22 kohms
CMZ18(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
 ECAD 1725 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ18 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 13 V 18 V 30 ohmios
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU, LF -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J120 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.5V, 4V 38mohm @ 3a, 4V 1V @ 1MA 22.3 NC @ 4 V ± 8V 1484 pf @ 10 V - 500MW (TA)
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (f) -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SJ360 Mosfet (Óxido de metal) PW-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 100 Canal P 60 V 1a (TA) 4V, 10V 730mohm @ 500 mA, 10V 2v @ 1 mapa 6.5 NC @ 10 V ± 20V 155 pf @ 10 V - 500MW (TA)
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (M -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2962 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn Ssm6j502 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 23.1mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 V ± 8V 1800 pf @ 10 V - 1W (TA)
HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Gr, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y, S4X 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK560A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240 µA 14.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 30W
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL, L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPWR8004 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 50A, 10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 20 V - 1W (TA), 170W (TC)
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL, LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN11006 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 26a (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 200 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1625 pf @ 30 V - 610MW (TA), 61W (TC)
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6P47 Mosfet (Óxido de metal) 1W 6-µDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 4A 95mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4.6nc @ 4.5V 290pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1968 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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