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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU (TE85L, F) 0.3600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano SSM5G10 Mosfet (Óxido de metal) UFV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 1.8v, 4V 213mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 6.4 NC @ 4 V ± 8V 250 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 500MW (TA)
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU, LF 0.2500
RFQ
 ECAD 703 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 Mosfet (Óxido de metal) 285MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 300mA 1.5ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 40pf @ 10V -
2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040, T2Q (J -
RFQ
 ECAD 6156 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC6040 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 800 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 100 mm, 800 mA 60 @ 100mA, 5V -
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3798 (Sta4, Q, M) 1.4000
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 4A (TA) 10V 3.5ohm @ 2a, 10v 4V @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L, LXGQ 3.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK200F04 Mosfet (Óxido de metal) To-220SM (W) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 200a (TA) 6V, 10V 0.9mohm @ 100a, 10V 3V @ 1MA 214 NC @ 10 V ± 20V 14920 pf @ 10 V - 375W (TC)
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L, EFF 0.9900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo SSM6N951 Mosfet (Óxido de metal) - 6-TCSPA (2.14x1.67) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10,000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 8A 5.1mohm @ 8a, 4.5V - - - -
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125, LQ (S 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8125 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 5a, 10v 2V @ 500 µA 64 NC @ 10 V +20V, -25V 2580 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK30S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 30A (TA) 6V, 10V 18ohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 10 V - 58W (TC)
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK40S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 40a (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 200 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 10 V - 88.2W (TC)
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6K208 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 30 V 1.9a (TA) 1.8v, 4V 133mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V - 500MW (TA)
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1114, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1114 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU, LF 0.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano MT3S111 800MW UFM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12.5dB 6V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 10GHz 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1 GHz
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 400 mA (TA) 4V, 10V 1.55ohm @ 200 MMA, 10V 2v @ 1 mapa 3 NC @ 10 V +10V, -20V 82 pf @ 10 V - 600MW (TA)
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D (STA4, Q, M) 2.5900
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK11A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 11a (TA) 10V 630mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D (STA4, Q, M) 1.4400
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK2A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 2a (TA) 10V 3.26ohm @ 1a, 10v 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 30W (TC)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8018 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 30A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 20V 2846 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K72 Mosfet (Óxido de metal) CST3C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 150MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20V 17 pf @ 10 V - 500MW (TA)
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341, Q 3.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 GT30J341 Estándar 230 W A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-GT30J341Q EAR99 8541.29.0095 100 300V, 30a, 24ohm, 15V 50 ns 600 V 59 A 120 A 2V @ 15V, 30a 800 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 80ns/280ns
1SS315TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315TPH3F 0.0600
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SS315 USC - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 30 Ma 0.6pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - Single 5V -
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (TE85L) 0.4400
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J114 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.8a (TA) 1.5V, 4V 149mohm @ 600mA, 4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ± 8V 331 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4990 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms -
RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2106 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LF 0.0379
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 3.5a (TA) 10V 2.45ohm @ 1.8a, 10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 30W (TC)
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SV285 ESC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.000 2.35pf @ 4V, 1MHz Soltero 10 V 2.3 C1/C4 -
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (f) -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2719 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3a (TA) 10V 4.3ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 125W (TC)
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W, LVQ 7.8500
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK31V60 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 98mohm @ 15.4a, 10V 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
CLS03(TE16L,PSD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PSD, Q) -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto Montaje en superficie L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn2d01fte85lf 0.4700
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN2D01 Estándar SC-74 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 80 V 80mera 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, T6CSF (J -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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