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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D, S1F -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 TRS20N Schottky To-247 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 650 V 10a (DC) 1.7 V @ 10 A 90 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo)
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Sot-723 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA ± 10V 9.3 pf @ 3 V - 150MW (TA)
TJ20A10M3(STA4,Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ20A10M3 (STA4, Q -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TJ20A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS - 264-TJ20A10M3 (STA4Q EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 20A (TA) 10V 90mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 120 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 10 V - 35W (TC)
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121 (Q) 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 GT30J121 Estándar 170 W A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 300V, 30a, 24ohm, 15V - 600 V 30 A 60 A 2.45V @ 15V, 30A 1MJ (Encendido), 800 µJ (apagado) 90ns/300ns
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1115MFV, L3F 0.0261
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie Sot-723 RN1115 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) DSF01S30 Schottky SC2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 500 MV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 9.3pf @ 0v, 1 MHz
HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F (TE85L, F) 0.6000
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN2D03 Estándar SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 400 V 100mA 1.3 V @ 100 Ma 500 ns 100 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo)
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3K72 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 150MW (TA)
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457, T6yMef (M -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304 (f) -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SJ304 Mosfet (Óxido de metal) Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 14a (TA) 4V, 10V 120mohm @ 7a, 10v 2v @ 1 mapa 45 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 10 V - 40W (TC)
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2107 100 MW CST3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK11A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TA) 10V 650mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPCA8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8005-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8005 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 27a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 20V 1395 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TK8A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60DA (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK8A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7.5a (TA) 10V 1ohm @ 4a, 10v 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407, LQ (S -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8407 Mosfet (Óxido de metal) 450MW 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V 9a, 7.4a 17mohm @ 4.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE (TE85L, F) 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN1708 100MW ESV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT50J341, Q 3.5900
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 200 W A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 - - 600 V 50 A 100 A 2.2V @ 15V, 50A - -
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1315 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132, LQ (S 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8132 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 7a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 200 µA 34 NC @ 10 V +20V, -25V 1580 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K302 Mosfet (Óxido de metal) TSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3a (TA) 1.8v, 4V 71mohm @ 2a, 4v - 4.3 NC @ 4 V ± 12V 270 pf @ 10 V - 700MW (TA)
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887 (f) -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1887 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 50 50 V 10 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 250 Ma, 5a 120 @ 1a, 1V 45MHz
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (f) -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2719 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3a (TA) 10V 4.3ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 125W (TC)
TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB, S1F (S -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS20N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TRS20N65FBS1F (S EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 10a (DC) 1.7 V @ 10 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo)
RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1442ate85lf -
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1442 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 3 mm, 30 ma 200 @ 4MA, 2V 30 MHz 10 kohms
RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano SSM3K361 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 3.5a (TA) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 100 µA 3.2 NC @ 4.5 V ± 20V 430 pf @ 15 V - 1W (TA)
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J340 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA 6.2 NC @ 4.5 V +20V, -25V 492 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110ACT (TPL3) 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1110 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 47 kohms
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1SS404 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125 ° C (Máximo) 300mA 46pf @ 0V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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