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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X, S1F 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 TK31Z60 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10v 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL, L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R70 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 45a, 10v 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 50 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL, L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R306 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK110E10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 42a (TC) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 300 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 50 V - 87W (TC)
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH, L1Q 1.9800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1500 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 38a (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 75 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK10A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5, LQ 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK28V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 140mohm @ 13.8a, 10v 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2708 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 10 kohms
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SA2154 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SC6026 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 60MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables 2SC6100 500 MW UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 2.5 A 100NA (ICBO) NPN 140mv @ 20 mm, 1a 400 @ 300mA, 2V -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6P40 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 1.4a (TA) 226mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 2.9nc @ 10V 120pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6P54 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.2a (TA) 228mohm @ 600mA, 2.5V 1V @ 1MA 7.7nc @ 4V 331pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, LF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 1SS385 Schottky SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 10 V 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1 MHz
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q (CM -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn TPCC8105 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) - 1 (ilimitado) 264-TPCC8105L1Q (CMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10V 2V @ 500 µA 76 NC @ 10 V +20V, -25V 3240 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.197 ", 5.00 mm de Ancho) XPH6R30 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 45a (TA) 6V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10V 3.5V @ 500 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 10 V - 960MW (TA), 132W (TC)
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40, H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano CUHS15 Schottky US2H descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 1.5 A 200 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 170pf @ 0V, 1 MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK110A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 110MOHM @ 12A, 10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) Guisal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 pf @ 300 V - 230W (TC)
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 V +6V, -8V 1800 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 210W (TC)
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM, S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 1.3MA 110 NC @ 10 V ± 20V 7670 pf @ 40 V - 230W (TC)
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM, S4X 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 58a (TC) 6V, 10V 6.8mohm @ 29a, 10v 3.5V @ 500 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 40 V - 41W (TC)
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 USC descascar 1 (ilimitado) 264-1SS315 [U/D] TR EAR99 8541.10.0070 3.000 30 Ma 0.06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - Single 5V -
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 10 kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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