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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL, RQ 1.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK3R1P04 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 58a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 29a, 10v 2.4V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 4670 pf @ 20 V - 87W (TC)
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y, RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK290P65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 100W (TC)
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W, S1F 3.8600
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK17N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 17.3a (TA) 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 165W (TC)
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) 2-SMD, Plano Plano JDH2S01 FSC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 25 Ma 0.6pf @ 0.2V, 1MHz Schottky - Single 4v -
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SJ668 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 2SJ668 (TE16L1NQ) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 5A (TA) 4V, 10V 170mohm @ 2.5a, 10v 2v @ 1 mapa 15 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 10 V - 20W (TC)
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2106 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 47 kohms
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC, L1Q -
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN2R503 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 40a (TA) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 500 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 700MW (TA), 35W (TC)
2SK3309(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 (Q) -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta 2SK3309 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fl descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 10a (TA) 10V 650mohm @ 5a, 10v 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 10 V - 65W (TC)
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU (T5L, F -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 Mosfet (Óxido de metal) 300MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 200 MMA 2.1ohm @ 500 mA, 10V 3.1V @ 250 µA - 17pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W, S1VF 4.1900
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK16N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1, RQ (S -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK20P04 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 20A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 985 pf @ 10 V - 27W (TC)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A, LQ (CO -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK1P90 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TK1P90AlQ (CO EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 900 V 1a (TA) 10V 9ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 30V 320 pf @ 25 V - 20W (TC)
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8A06 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) TPC8A06HTE12LQM EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 10.1mohm @ 6a, 10v 2.3V @ 1MA 19 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 10 V Diodo Schottky (Cuerpo) -
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK20S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 20A (TA) 6V, 10V 14mohm @ 10a, 10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ± 20V 820 pf @ 10 V - 38W (TC)
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT (TPL3) 0.0571
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K16 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA ± 10V 9.3 pf @ 3 V - 100MW (TA)
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SK2035 Mosfet (Óxido de metal) SSM - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 2.5V 12ohm @ 10mA, 2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100MW (TA)
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0.0718
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) 2-SMD, Plano Plano JDV2S07 FSC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 4.9pf @ 1v, 1 MHz Estándar - Single 10V -
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE (TE85L, F) 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P35 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 100mA 8ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V Puerta de Nivel Lógico
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L (T6L1, NQ 0.7102
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ30S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 30A (TA) 6V, 10V 21.8mohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V +10V, -20V 3950 pf @ 10 V - 68W (TC)
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B, Q 0.6600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.5 W To-126n descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 250 80 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (T5L, T) -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J114 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.8a (TA) 1.5V, 4V 149mohm @ 600mA, 4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ± 8V 331 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1, RQ 5.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) Guisal - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 40a (TA) 10V 55mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.69 Ma 65 NC @ 10 V ± 30V 3680 pf @ 300 V - 270W (TC)
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB, LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 5-Powersfn Mosfet (Óxido de metal) S-togl ™ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 200a (TA) 6V, 10V 0.66mohm @ 100a, 10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ± 20V 11380 pf @ 10 V - 375W (TC)
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano JDV2S09 FSC - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1v, 1 MHz Soltero 10 V 2.1 C1/C4 -
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6N55 Mosfet (Óxido de metal) 1W 6-µDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 4A 46mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 2.5nc @ 4.5V 280pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4K1A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 2a (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10v 4V @ 190 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X, S5X 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK22A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 150mohm @ 11a, 10v 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y, S4X 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK380A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9.7a (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN5R203 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 19a, 10v 2.1V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1975 pf @ 15 V - 610MW (TA), 61W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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