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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SC2229-O(T6SHP1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6SHP1FM -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SC2229OT6SHP1FM EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Ssm6n62 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 800 mA (TA) 85mohm @ 800 mA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618-Y (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 2SA1618 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 Par de Parejas PNP (Dual), Emisor Común 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK33S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 33a (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 2.5V @ 500 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 10 V - 125W (TC)
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O (TE85L, F) 0.0592
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 100 mapa, 1v 200MHz
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ24 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 17 V 24 V 30 ohmios
2SC5242-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5242-O (Q) 2.9300
RFQ
 ECAD 441 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SC5242 130 W A-3p (n) descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (Q) -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK55D10 Mosfet (Óxido de metal) TO-220 (W) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 55A (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 27a, 10v 2.3V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 10 V - 140W (TC)
TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L, LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ10S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 10a (TA) 6V, 10V 44mohm @ 5a, 10v 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V, -20V 930 pf @ 10 V - 27W (TC)
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC5201 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1 µA (ICBO) NPN 1V @ 500 Ma, 20 Ma 100 @ 20MA, 5V -
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D, S1F -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 TRS12N Schottky To-247 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 650 V 6a (DC) 1.7 v @ 6 a 90 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo)
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6CNO, A, F) -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Gr, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0.9600
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK15S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 15a (TA) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 610 pf @ 10 V - 46W (TC)
2SC2383-Y(T6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y (T6DNS, FM -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2383 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 60 @ 200Ma, 5V 100MHz
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (Paio, F, M) -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881 (Cano, F, M) -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4881 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 125ma, 2.5a 100 @ 1a, 1v 100MHz
1SS302TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302TE85LF -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 1SS302 Estándar SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
2SB1457,T6TOTOF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457, T6TOTOF (J -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1441ate85lf -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 3 mm, 30 ma 200 @ 4MA, 2V 30 MHz 5.6 kohms
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-BL, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 150 MW Un 236 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 2mA, 6V 100MHz
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Ssm6n16 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 100 mA (TA) 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA - 9.3pf @ 3V -
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6n16fute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Ssm6n16 Mosfet (Óxido de metal) 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 100mA 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA - 9.3pf @ 3V -
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30, H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS08F30 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 220 MV @ 10 Ma 50 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 800mA 170pf @ 0V, 1 MHz
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1412te85lf 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 22 kohms
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL, L1Q 0.9000
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN4R806 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 72a (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 36a, 10v 2.5V @ 300 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 30 V - 630MW (TA), 104W (TC)
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMS04 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 370 MV @ 5 A 8 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 5A -
TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL, L1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPWR8503 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 15 V - 800MW (TA), 142W (TC)
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10 (TE85L, Q) -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F CRZ10 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) CRZ10TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 6 V 10 V 30 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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