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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn4602te85lf 0.3800
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN4602 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
TRS10A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10A65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero TRS10A65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 10A 36pf @ 650V, 1 MHz
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 (T6RDS-Q) -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK40P03 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Tk40p03m1t6rdsq EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 40a (TA) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 100 µA 17.5 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 10 V - -
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR, A, F -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4981 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40, H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano CUHS20 Schottky US2H descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 470 MV @ 2 A 300 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 2A 290pf @ 0V, 1MHz
SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K15 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 7.8 pf @ 3 V - 100MW (TA)
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6ND2, AF -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK650A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK650A60F, S4X 1.3400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK650A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TA) 10V 650mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1.16MA 34 NC @ 10 V ± 30V 1320 pf @ 300 V - 45W (TC)
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L (T6L1, NQ 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ50S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 50A (TA) 6V, 10V 13.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 1MA 124 NC @ 10 V +10V, -20V 6290 pf @ 10 V - 90W (TC)
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L, LQ 2.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK90S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 90A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 500 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 10 V - 157W (TC)
RN1113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113, LXHF (CT 0.0618
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1113 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 47 kohms
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3265 200 MW Un 236 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 20 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 120MHz
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK10P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 9.7a (TA) 10V 430mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 80W (TC)
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2967 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J328R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J328 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 V ± 8V 840 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Gr, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie SC-75, SOT-416 120 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6ONK1, FM -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA949 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1 MMA, 10a 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-Y (Q) -
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SC3074 1 W Moldeado descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 200 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mA, 3a 120 @ 1a, 1V 120MHz
TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2E06PL, S1X 1.7700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK3R2E06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 700 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 30 V - 168W (TC)
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250 (TE85L, F) 0.0964
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS250 Estándar SC-59 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125 ° C (Máximo) 100mA 3PF @ 0V, 1MHz
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 (f) -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2917 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) es descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18a (TA) 10V 270mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 3720 pf @ 10 V - 90W (TC)
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3138 150 MW Un 236 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 200 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 10mA, 3V 100MHz
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK90S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 90A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 500 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 10 V - 157W (TC)
RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
CRF03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRF03A, LQ (M -
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Caja Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar S-FLAT (1.6x3.5) descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 700 Ma 100 ns 50 µA @ 600 V 150 ° C 700mA -
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 HN4A51 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 2mA, 6V 100MHz
TK8A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A55DA (STA4, Q, M) 1.7700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK8A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 7.5a (TA) 10V 1.07ohm @ 3.8a, 10v 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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