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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | LL5818-J0 L0 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Schottky | Asignar | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-LL5818-J0L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1005GH | 0.5318 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF1005 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SFF1005GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5355 m6g | - | ![]() | 1528 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5355M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 13.7 V | 18 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5408GHA0G | - | ![]() | 1735 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5408 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR25H45CT C0 | - | ![]() | 8670 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | MBR25 | - | 1801-MBR25H45CTC0 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5817HB0G | - | ![]() | 9091 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5817 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
ES1CLHM2G | - | ![]() | 9233 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1C | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
DBLS206GH | 0.3192 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS206 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M15Z A0G | - | ![]() | 4166 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M15 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 11.4 V | 15 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4755A | 0.0830 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZM4755 | 1 W | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ZM4755ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Ss36l mhg | - | ![]() | 2944 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS36 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C3V0 RGG | 0.0669 | ![]() | 2701 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0603 (1608 Métrica) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SR4090PT C0G | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR4090 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 40A | 900 MV @ 20 A | 500 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bzd17c18p | 0.2625 | ![]() | 6571 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD17C18PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM160P02CS RLG | 1.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TSM160 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 11a (TC) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | SF11G B0G | - | ![]() | 3807 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SF11 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
SS16L R3G | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-219AB | SS16 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS315LW | 0.0972 | ![]() | 7395 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | SS315 | Schottky | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS315LWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5227B RHG | 0.0433 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | MMSZ5227 | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C20 | 0.0412 | ![]() | 6242 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT52C20TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C39 A0G | - | ![]() | 7582 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 V @ 10 Ma | 500 na @ 27 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UG56GHB0G | - | ![]() | 3087 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UG56 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 v @ 5 a | 20 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5406G | 0.1366 | ![]() | 2217 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5406 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | S12JCHM6G | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S12J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 12 a | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF502G C0G | - | ![]() | 5422 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF502 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 980 MV @ 2.5 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
Alfombra BZD27C160P | 0.2888 | ![]() | 9521 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 120 V | 162 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S1GLR2G | - | ![]() | 2272 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-219AB | S1g | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
SK25A R3G | - | ![]() | 2342 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SK25 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 2 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1JH | 0.1044 | ![]() | 7986 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF1J | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
S1dl rqg | - | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz |
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