SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
2M43ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M43ZHB0G -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m43 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 32.7 V 43 V 35 ohmios
GBU2506 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2506 2.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2506 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
1PGSMA4762H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4762H 0.1156
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4762 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
KBP101G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP101G C2G -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
KBP103G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP103G C2G -
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
KBP104G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP104G C2G -
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
KBP151G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP151G C2 -
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
KBP154G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP154G C2 -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
KBP155G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP155G C2 -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
KBP155G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP155G C2G -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
KBP157G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP157G C2 -
RFQ
 ECAD 3670 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
KBP157G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP157G C2G -
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
KBP203G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP203G C2 -
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
KBP204G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP204G C2 -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µA @ 400 V 2 A Fase única 400 V
KBP205G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP205G C2G -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
KBP207G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP207G C2G -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
KBP302G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP302G C2 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 100 V 3 A Fase única 100 V
KBP306G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP306G C2G -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
KBP307G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP307G C2G -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
TS10K40-A Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40-A 0.9300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS10K40 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 10 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
TS4K80-A Taiwan Semiconductor Corporation TS4K80-A 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS4K80 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 10 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
TS10K60-A Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60-A 1.8400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS10K60 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 10 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
YBS3007G Taiwan Semiconductor Corporation YBS3007G 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables YBS3007 Estándar YBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
KBPF207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF207G B0G -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF207GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
KBPF304G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF304G B0G -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF304GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V 3 A Fase única 400 V
KBPF306G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF306G B0G -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF306GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
KBPF307G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF307G B0G -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF307GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
KBPF407G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF407G B0G -
RFQ
 ECAD 8945 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF407GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
TS15P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P07G-K C2G -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TS15P07G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
TS25P06G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P06G-K C2G -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TS25P06G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar