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Productos de Semiconducores discretos (15635)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C68PW | 0.1092 |  | 9646 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 51 V | 68 V | 80 ohmios | ||||||||||
 | Alfombra BZD27C75P | - | | 7271 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 74.5 V | 100 ohmios | ||||||||||
| BZD27C7V5FRUG | - | | 9423 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 3 V | 7.45 V | 2 ohmios | ||||||||||
| BZD27C82PHRVG | - | | 4380 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||
| BZD27C82PW | 0.1092 | | 3675 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||
| Alfombra BZD27C8V2P | - | | 9122 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6.09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 8.2 V | 2 ohmios | ||||||||||
 | BZT52B10-G RHG | 0.0461 | | 3406 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | Bzt52b | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||
| BZT52B24-G RHG | 0.0461 | | 5036 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | Bzt52b | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||
 | BZT52B3V0S RRG | - | | 3272 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Bzt52b | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 9 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | BZT52B4V7 RHG | 0.0412 | | 4216 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Bzt52b | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||
| BZT52B6V2-G RHG | 0.0461 | | 9574 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | Bzt52b | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||
| BZT52B6V2S RRG | 0.0510 | | 1968 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Bzt52b | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||
| BZT52C2V4 RHG | 0.0412 | | 6287 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | BZT52C68K RKG | 0.0511 | | 9285 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 52 V | 68 V | 240 ohmios | |||||||||||
| BZT52C75S RRG | - | | 8051 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | ||||||||||
| BZT52C8V2S RRG | - | | 1261 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 630 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||
| BZT52C9V1-G RHG | 0.0445 | | 4141 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||
 | 1PGSMB5930HR5G | 0.6300 | | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5930 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||
 | GBU2506 | 2.4600 | | 2 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU2506 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| 1PGSMB5952HR5G | - | | 7642 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5952 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | |||||||||||
 | 1PGSMC5350 R7G | - | | 5670 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMB5955 R5G | - | | 4694 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5955 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 136.8 V | 180 V | 900 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMB5932 R5G | - | | 7823 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5932 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMC5357HR7G | - | | 3582 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMC5360HR7G | - | | 8618 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 19 V | 25 V | 4 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMC5364 R7G | - | | 5561 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||||
 | Rs3j v7g | 0.9500 | | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta de Corte (CT) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3j | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||
| S3J V7G | 0.8200 | | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta de Corte (CT) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| Hs3b v6g | - | | 7785 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HS3B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Rs3g | 0.1648 | | 6348 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3g | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - |
2000+
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