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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55C11 L1G | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 8.2 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||
1PGSMA4742 R3G | - | ![]() | 1599 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4742 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||||
![]() | S1JMH | 0.1001 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Estándar | Micro SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-S1JMHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 18,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 780 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Ssl34 v7g | - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SSL34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||
PU3JFS | 0.1383 | ![]() | 9753 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | PU3J | Estándar | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-PU3JFSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 26 ns | 2 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 31pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | S3G R7 | - | ![]() | 1131 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3GR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Bzd27c16ph | 0.2933 | ![]() | 2162 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD27C16PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12 V | 16.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | Rs1dlw | 0.0577 | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-RS1DLWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
Rs2ka | 0.0731 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs2k | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Gp1006hc0g | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | GP1006 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 800 V | 10A | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BAV19WS-G | 0.0334 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAV19 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BAV19WS-GTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 2M200Z A0G | - | ![]() | 9458 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m200 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 152 V | 200 V | 900 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5359HR7G | 0.8300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 4 ohmios | ||||||||||||||
S1dlhrvg | 0.0628 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SFAF1603GHC0G | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SFAF1603 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZT55B11 | 0.0385 | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | 500 MW | Mmmmel | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT55B11TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 8.2 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
Rs1j r3g | 0.5200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RS1J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1M110ZHR1G | - | ![]() | 6118 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1M110 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 83.6 V | 110 V | 450 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1M150Z R1G | - | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1m150 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 114 V | 150 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1M200Z R1G | - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1m200 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 152 V | 200 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N4741AHR1G | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4741 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 15.2 V | 11 V | 22 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 2M12Z | 0.1565 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M12 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 2m130zh | 0.1667 | ![]() | 6433 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M130 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 400 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 2M140Z | 0.1565 | ![]() | 6612 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M140 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 106.4 V | 140 V | 500 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 2m150zh | 0.1667 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M150 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 114 V | 150 V | 575 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 2M15Z | 0.1565 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M15 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 11.4 V | 15 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Mbs2 | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Mbs2 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 200 V | 500 mA | Fase única | 200 V | |||||||||||||
![]() | Rmb4s | 0.2448 | ![]() | 9667 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB4 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 mA | Fase única | 400 V | |||||||||||||
![]() | Rmb4sh | 0.2739 | ![]() | 3820 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB4 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 mA | Fase única | 400 V | |||||||||||||
![]() | Rmb6sh | 0.2739 | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB6 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V |
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