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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
TS4K80-A Taiwan Semiconductor Corporation TS4K80-A 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS4K80 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 10 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
TS10K60-A Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60-A 1.8400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS10K60 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 10 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
YBS3007G Taiwan Semiconductor Corporation YBS3007G 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables YBS3007 Estándar YBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
KBPF207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF207G B0G -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF207GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
KBPF304G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF304G B0G -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF304GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V 3 A Fase única 400 V
KBPF306G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF306G B0G -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF306GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
KBPF307G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF307G B0G -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF307GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
KBPF407G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF407G B0G -
RFQ
 ECAD 8945 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBPF407GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
TS15P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P07G-K C2G -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TS15P07G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
TS25P06G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P06G-K C2G -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TS25P06G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
TS25P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P07G-K C2G -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TS25P07G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
KBL403G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL403G T0 -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL403 Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL403GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
KBL601G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL601G T0 -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL601 Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL601GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
KBL602G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL602G T0 -
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL602 Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL602GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
KBL603G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL603G T0 -
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL603 Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL603GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
KBU1004G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1004G 1.9362
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU1004 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
KBU405G Taiwan Semiconductor Corporation KBU405G 1.7816
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU405 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
KBU407G Taiwan Semiconductor Corporation KBU407G 1.7816
RFQ
 ECAD 6998 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU407 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
KBU603G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU603G T0 -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU603 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBU603GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
KBU604G Taiwan Semiconductor Corporation Kbu604g 1.7406
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU604 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
KBU607G Taiwan Semiconductor Corporation KBU607G 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU607 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
KBU806G Taiwan Semiconductor Corporation Kbu806g 1.8801
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU806 Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 800 V 8 A Fase única 800 V
KBL404G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL404G T0G -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL404GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
KBL406G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL406G T0G -
RFQ
 ECAD 6203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL406GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
KBL601G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL601G T0G -
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL601GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
KBL602G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL602G T0G -
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL602GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
KBU1001G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1001G T0G -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBU1001GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 A Fase única 50 V
KBU1004G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1004G T0G -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBU1004GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
KBU402G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU402G T0G -
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBU402GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
KBU602G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU602G T0G -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBU602GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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