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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55B18	0.0385	RFQ	7135	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Variatura Sod-80			500 MW	Mmmmel	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZT55B18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 Ma		100 na @ 13 V						18 V	50 ohmios
GBU1004HD2G	-	RFQ	4271	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU1004	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20																1.1 v @ 10 a		5 µA @ 400 V		10 A		Fase única	400 V
Mtzj7v5sc	0.0305	RFQ	4150	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204ag, do-34, axial	Mtzj7		500 MW	Do-34	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-MTZJ7V5SCTR	EAR99	8541.10.0050	10,000																		500 na @ 4 V						7.5 V	20 ohmios
Ss23l mhg	-	RFQ	2208	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Ss23	Schottky		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
S3M R7G	0.4700	RFQ	40	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3M	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.15 v @ 3 a		10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
TSM950N10CW RPG	1.5600	RFQ	6	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	TSM950	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	100 V	6.5a (TC)	4.5V, 10V	95mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 250 µA	9.3 NC @ 10 V	± 20V	1480 pf @ 50 V	-	9W (TC)
GPA807 C0G	-	RFQ	1483	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	GPA807	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.1 v @ 8 a		5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	50pf @ 4V, 1 MHz
SFAS806GH	-	RFQ	7508	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SFAS806	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													400 V		1.3 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	60pf @ 4V, 1MHz
1N4005gr0	-	RFQ	7055	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4005	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													600 V		1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
2m82z	0.1565	RFQ	4396	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	2m82		2 W	DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,500																		500 na @ 62.2 V						82 V	100 ohmios
1PGSMB5926HR5G	0.6300	RFQ	1	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	1PGSMB5926		3 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	850																		1 µA @ 8.4 V						11 V	5.5 ohmios
F1t7g	0.0742	RFQ	7966	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	T-18, axial	F1t7	Estándar		TS-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
Bzd27c120ph	0.3075	RFQ	7247	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	BZD27		1 W	Subma	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZD27C120PHTR	EAR99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91 V						120.5 V	300 ohmios
DBL101G	-	RFQ	7880	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)		Estándar		DBL	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1801-DBL101G	EAR99	8541.10.0080	5,000																1.1 v @ 1 a		2 µA @ 50 V		1 A		Fase única	50 V
TBS810	1.5600	RFQ	1	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	TBS8	Estándar		Cucharadita	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800																1.05 v @ 8 a		5 µA @ 1000 V		8 A		Fase única	1 kV
RS2BA	0.1718	RFQ	8025	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1801-RS2BATR	EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													50 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	50pf @ 4V, 1 MHz
Sr302	0.2282	RFQ	8186	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Schottky		Do-201ad	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1801-SR302TR	EAR99	8541.10.0080	1.250	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													20 V		550 MV @ 3 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	TSM3N90	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	900 V	2.5A (TC)	10V	5.1ohm @ 1.25a, 10V	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 30V	748 pf @ 25 V	-	94W (TC)
Rs1kl rvg	0.4500	RFQ	23	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Rs1k	Estándar		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													800 V		1.3 V @ 800 Ma	500 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	800mA	10pf @ 4V, 1 MHz
Ss110lhrun	-	RFQ	6006	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS110	Schottky		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													100 V		800 MV @ 1 A		50 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MTZJ39SB	0.0305	RFQ	5137	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204ag, do-34, axial	MTZJ39		500 MW	Do-34	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-MTZJ39SBTR	EAR99	8541.10.0050	10,000																		200 na @ 30 V						36.28 V	85 ohmios
BZT52B47	0.0453	RFQ	2716	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123F	Bzt52b		500 MW	SOD-123F	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZT52B47TR	EAR99	8541.10.0050	6,000																1 V @ 10 Ma		45 na @ 33 V						47 V	170 ohmios
Rs1glw	0.3900	RFQ	11	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W	Rs1g	Estándar		SOD-123W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Rsfklhmtg	-	RFQ	3592	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Rsfkl	Estándar		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													800 V		1.3 V @ 500 Ma	500 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
BZT52B5V6	0.0412	RFQ	8618	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123F	Bzt52b		500 MW	SOD-123F	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZT52B5V6TR	EAR99	8541.10.0050	6,000																1 V @ 10 Ma		900 na @ 2 V						5.6 V	40 ohmios
BZT55C2V7	0.0350	RFQ	3322	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Variatura Sod-80			500 MW	Mmmmel	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZT55C2V7TR	EAR99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 Ma		10 µA @ 1 V						2.7 V	85 ohmios
MBR10200CT-Y	0.4221	RFQ	8316	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR10200	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-MBR10200CT-Y	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	200 V	10A	700 MV @ 10 A		100 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C24 L0G	0.0350	RFQ	2933	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BZT55		500 MW	Mini Melf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 Ma		100 na @ 18 V						24 V	80 ohmios
SR809 A0G	-	RFQ	2680	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SR809	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													90 V		920 MV @ 8 A		100 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
TSM4NB60ci	1.1907	RFQ	6597	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	TSM4	Mosfet (Óxido de metal)		Ito-220	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-TSM4NB60ci	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal	600 V	4A (TC)	10V	2.5ohm @ 2a, 10v	4.5V @ 250 µA	14.5 NC @ 10 V	± 30V	500 pf @ 25 V	-	25W (TC)