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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
KBP102G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP102G C2 -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
SR009HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr009hr0g -
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
BZS55C8V2 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C8V2 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 6896 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
BZT52C33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S 0.0357
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C33STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 23 V 33 V 80 ohmios
MTZJ33SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SD R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ33 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 25 V 32.3 V 65 ohmios
BZD27C6V8PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8phr3g 0.1089
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
UG12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12J C0G -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 UG12 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 12 A 20 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
2M100Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M100Z A0G -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M100 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 76 V 100 V 175 ohmios
BZT55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V9 L1G -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
SS25LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss25lhmhg -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS25 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SF3005PTH Taiwan Semiconductor Corporation Sf3005pth 2.0470
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF3005 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF3005 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 30A 1.3 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
ESH1GMHRSG Taiwan Semiconductor Corporation Esh1gmhrsg -
RFQ
 ECAD 5566 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Estándar Micro SMA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-she1gmhrsgtr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 1 a 25 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 3PF @ 4V, 1MHz
BZT52C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27 0.0412
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C27TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5951H 0.1798
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 91.2 V 120 V 360 ohmios
BZX79B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b2v4 0.0322
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B2V4TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 1 ma @ 100 V 2.4 V 100 ohmios
BZX79C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 0.0287
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C12TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
BZX85C43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C43 A0G -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 30 V 43 V 50 ohmios
HS3BB Taiwan Semiconductor Corporation HS3BB 0.2066
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS3BBTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B7V5 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B7V5 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
SFAF508GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF508GHC0G -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF508 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
1N5248B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5248B A0G -
RFQ
 ECAD 6196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5248 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
SS22LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22lhmhg -
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
HER3L05GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L05GH 0.2535
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER3L05GHTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.32 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1 MHz
BZX585B24 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B24 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 45 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
S1AL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra S1al -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SS36 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS36 R7 -
RFQ
 ECAD 5069 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS36R7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C16 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16 RHG 0.0412
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
BZV55C30 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C30 L1G -
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 22 V 30 V 80 ohmios
BAS20W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W RVG 0.0498
RFQ
 ECAD 4872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAS20 Estándar Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
SK53C Taiwan Semiconductor Corporation Sk53c 0.1897
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk53 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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