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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZT52B7V5S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B7V5S 0.0340
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b7v5str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
1SMA4764HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4764HR3G -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4764 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
RS2BA Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA 0.1718
RFQ
 ECAD 8025 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS2BATR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMB5926HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5926HR5G 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5926 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5 ohmios
SR302 Taiwan Semiconductor Corporation Sr302 0.2282
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR302TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C120PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c120ph 0.3075
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C120PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
TBS810 Taiwan Semiconductor Corporation TBS810 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TBS8 Estándar Cucharadita descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 1.05 v @ 8 a 5 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
RS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kl rvg 0.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1k Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 800 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
F1T7G Taiwan Semiconductor Corporation F1t7g 0.0742
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t7 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
DBL101G Taiwan Semiconductor Corporation DBL101G -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DBL - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-DBL101G EAR99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
1N5391G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G -
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N5391GTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
RSFKLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfklhmtg -
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfkl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BZT52B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 0.0412
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B5V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
BZT55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C2V7 0.0350
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C2V7TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
SS110LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss110lhrun -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS110 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MTZJ39SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SB 0.0305
RFQ
 ECAD 5137 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ39 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ39SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 V 36.28 V 85 ohmios
MBR10200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CT-Y 0.4221
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR10200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR10200CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 700 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1GFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1GFSH 0.0999
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1GFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BZT52B20 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20 0.0412
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B20TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
HS2DFS Taiwan Semiconductor Corporation HS2DFS 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 HS2D Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 50 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 32pf @ 4V, 1MHz
BZD27C56PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c56phmtg -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 43 V 56 V 60 ohmios
HER301G Taiwan Semiconductor Corporation HES301G -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HER301GTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
TSU2M60H Taiwan Semiconductor Corporation TSU2M60H 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano TSU2 Schottky Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSU2M60HTR EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 770 MV @ 2 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 100pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C39P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P R3G -
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB Obsoleto 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 150 mm, 6V 80MHz
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 91.5 NC @ 10 V ± 20V 3905 pf @ 30 V - 113.6W (TC)
SR809 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 A0G -
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR809 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
1PGSMB5929 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5929 0.1689
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
BZT55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B5V6 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 3556 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 25 ohmios
HER206G Taiwan Semiconductor Corporation HER206G 0.1247
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER206 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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