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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZD27C62PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PW 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
SFF1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1008G 1.1900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 10a (DC) 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79B6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B6V2 A0G -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 4 Ma @ 3 V 6.2 V 10 ohmios
BZD27C150P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RQG -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
MBRS1045CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045CT mng -
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
S3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3G R7G -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3g Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BAT54S RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54S RFG 0.2600
RFQ
 ECAD 232 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
1SMA5940H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940H 0.0995
RFQ
 ECAD 5491 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5940 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
ESH3C M6 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C M6 -
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sesh3cm6tr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 3 A 20 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZD27C7V5PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c7v5phmtg -
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 µA @ 3 V 7.45 V 2 ohmios
SR204HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr204hb0g -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR204 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 2 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
2M6.8ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8zha0g -
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m6.8 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1 ma @ 5.5 V 6.8 V 1.5 ohmios
GBU1505 Taiwan Semiconductor Corporation GBU1505 1.2978
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP, GBU GBU1505 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBU1505 EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
1SMA5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933H 0.0995
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
SK53C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK53C M6G -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk53 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZD27C30PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30phm2g -
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
S1JM Taiwan Semiconductor Corporation S1JM 0.0936
RFQ
 ECAD 3795 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Estándar Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S1JMTR EAR99 8541.10.0080 18,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5PF @ 4V, 1MHz
ES1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JLW RVG 0.1458
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS1DLW Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW 0.0916
RFQ
 ECAD 4491 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1DLWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
SS22L RVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22l rvg 0.6000
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
SRAF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1690 C0G -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1690 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 16 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZD27C180P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C180P -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 179.5 V 450 ohmios
SRS1020 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1020 mng -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1020 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 10A 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
BZT52B6V2S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V2S RRG 0.0510
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
2A06G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A06G A0G -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A06 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS1DALH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1dalh 0.1008
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1DALHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 0.0412
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B5V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
S2GAL Taiwan Semiconductor Corporation S2gal 0.4700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S2G Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12PF @ 4V, 1MHz
BZV55C56 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C56 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 42 V 56 V 135 ohmios
TSS40L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS40L RWG -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSS40 Schottky 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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