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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX79B2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V7 A0G -
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 1 ma @ 75 V 2.7 V 100 ohmios
BZS55C10 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
AZ23C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V3 0.0786
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C3V3TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 3.3 V 95 ohmios
TSM170N06CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CH C5G 2.2200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM170 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 38a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 28.5 NC @ 10 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 46W (TC)
BZD27C30PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30 fhrug 0.2933
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
1SMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1smb5933hr5g -
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5933 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
TSM3N90CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CH C5G -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM3N90 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.750 N-canal 900 V 2.5A (TC) 10V 5.1ohm @ 1.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 pf @ 25 V - 94W (TC)
SKLW Taiwan Semiconductor Corporation Sklw 0.0498
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-sklwtr EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 800 Ma 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 7pf @ 4V, 1 MHz
HER1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1001G C0G -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1001 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55B20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 RXG -
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
1T2G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T2G R0G -
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial 1T2G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HER1006G Taiwan Semiconductor Corporation HER1006G 0.5559
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 10A 1.7 V @ 5 A 80 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BYG21M Taiwan Semiconductor Corporation Byg21m 0.0948
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg21 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.6 V @ 1.5 A 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 13PF @ 4V, 1MHz
SR005 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR005 B0G -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR005 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 500 Ma 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 80pf @ 4V, 1 MHz
MBR6045PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR6045PT 2.5062
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6045 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 60A 820 MV @ 60 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
TUAU6DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau6dh 0.3108
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau6 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu6dhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 6 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 64pf @ 4V, 1 MHz
TSM60NB190CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CZ C0G 7.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 33.8W (TC)
RS2J Taiwan Semiconductor Corporation RS2J 0.0946
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
UG2D B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG2D B0G -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
SF13G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF13G A0G -
RFQ
 ECAD 5541 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF13 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
1N4759AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759AH 0.1188
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4759 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
ES3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B V6G -
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SR2040 Taiwan Semiconductor Corporation SR2040 0.5920
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR2040 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
1N4936G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G R1G -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4936 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1SMA4741HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4741HR3G -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4741 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 8.4 V 11 V 8 ohmios
S1GLS Taiwan Semiconductor Corporation S1GLS 0.0534
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1g Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
DBLS204G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS204G 0.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS204 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 400 V 2 A Fase única 400 V
S2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA M2G -
RFQ
 ECAD 4096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
1N4748AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748AH 0.1188
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4748 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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