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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
US1A M2G Taiwan Semiconductor Corporation US1A M2G -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5365 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5365 R6G -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5365R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 27.4 V 36 V 11 ohmios
TSZL52C8V2 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C8V2 RWG -
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 6 V 8.2 V 7 ohmios
SS26L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS26L R3G -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS26 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
TSM480P06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CZ C0G -
RFQ
 ECAD 4064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TSM480P06CZC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10v 2.2V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 30 V - 66W (TC)
F1T3GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T3GHA1G -
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t3 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4749A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749A R1G -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4749 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
HS5J Taiwan Semiconductor Corporation HS5J 0.2748
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
MBRF1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090 C0G -
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1090 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX79B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b6v2 0.0305
RFQ
 ECAD 8635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B6V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 4 Ma @ 3 V 6.2 V 10 ohmios
BZD27C22PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22FRUG 0.2933
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22.05 V 15 ohmios
PU6DBH Taiwan Semiconductor Corporation PU6DBH 0.6900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 940 MV @ 6 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 105pf @ 4V, 1 MHz
TSF10H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF10H150C 0.9390
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF10 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 5A 880 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C20P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C20P 0.2753
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 15 V 20 V 15 ohmios
PU1BAH Taiwan Semiconductor Corporation Pu1bah 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 1 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 19PF @ 4V, 1MHz
2A03G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A03G R0G -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A03 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
TSM060NB06LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06LCZ 2.0942
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM060 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM060NB06LCZ EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 13a (TA), 111a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 6273 pf @ 30 V - 2W (TA), 156W (TC)
UR8KB100 Taiwan Semiconductor Corporation Ur8KB100 0.7878
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur8KB100 Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
SR305HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr305hb0g -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR305 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
KTC3198-BL-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-KTC3198-BL-B0A1GTB Obsoleto 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 3000 @ 150mA, 6V 80MHz
BZD27C150PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c150phrfg -
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
RS1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bl rhg -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
ES2BAH Taiwan Semiconductor Corporation Es2bah -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES2BAHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1 MHz
S4G R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4G R6 -
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4GR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SF2008G Taiwan Semiconductor Corporation Sf2008g -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SF2008 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
S5J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5J M6G -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4002GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHR1G -
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZX585B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V7 RKG -
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2.7 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
SK515C Taiwan Semiconductor Corporation SK515C 0.2155
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SK515 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 300 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
MTZJ27SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ27 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 21 V 26.29 V 45 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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