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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SRAS2090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras2090hmng -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras2090 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 20 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SR110HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR110HR1G -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR110 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 1 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TS10K60 Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60 1.4500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL TS10K60 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 10 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
BZT52C75K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75K 0.0511
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C75KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 200 na @ 57 V 75 V 255 ohmios
SRAF1640 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1640 C0G -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1640 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 16 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
BZV55C20 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C20 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 9439 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
RS1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1g r3g 0.5500
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
LSR106-J0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation LSR106-J0 L0 -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf Schottky Asignar - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-LSR106-J0L0TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 1 ma @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
2M14Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M14Z 0.1565
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M14 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 10.6 V 14 V 5.5 ohmios
ESH1B Taiwan Semiconductor Corporation ESH1B 0.0869
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ESH1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 1 A 15 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
BZX84C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C5V1 0.0511
RFQ
 ECAD 3551 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C5V1TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
SF11GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf11gha0g -
RFQ
 ECAD 9656 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF11 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF C0G 1.5053
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TSM7 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 1169 pf @ 50 V - 44.6W (TC)
2M18ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m18zh 0.1667
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M18 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 13.7 V 18 V 10 ohmios
HERA801G Taiwan Semiconductor Corporation Hera801g -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERA801G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZX55C75 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C75 A0G -
RFQ
 ECAD 1603 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 56 V 75 V 170 ohmios
1PGSMB5934H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5934H 0.1798
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
BZD27C82P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P R3G -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62 V 82 V 200 ohmios
1SMB5927HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5927HR5G -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5927 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
S3JB Taiwan Semiconductor Corporation S3JB 0.1105
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
GBU602HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU602HD2G -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU602 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
TSM60NC390CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC390CH C5G 5.5100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 1MA 21.4 NC @ 10 V ± 20V 818 pf @ 100 V - 125W (TC)
SSL33 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 R7 -
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SSL33R7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
S1BLH Taiwan Semiconductor Corporation S1blh 0.0705
RFQ
 ECAD 8287 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S1BLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
TSM60NB900CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CH 1.2444
RFQ
 ECAD 9004 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM60NB900CH EAR99 8541.29.0095 15,000 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 900mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 9.6 NC @ 10 V ± 30V 315 pf @ 100 V - 36.8W (TC)
S1MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1mbhr5g 0.1492
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1MB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
RS1DL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dl rqg -
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SRAF530 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530 C0G -
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF530 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
MBR2045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CT-Y 0.4737
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2045 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR2045CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 700 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V0 L1G -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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