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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZD17C200P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200P RFG -
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
UF1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation UF1DLWH 0.4100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W UF1D Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 20 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 40pf @ 4V, 1 MHz
SR003 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003 B0G -
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR003 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
2M62ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m62zha0g -
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m62 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 47.1 V 62 V 60 ohmios
RS3MB-T Taiwan Semiconductor Corporation Rs3mb-t 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs3m Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
SR005 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR005 R0G -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR005 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 500 Ma 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 80pf @ 4V, 1 MHz
BC337-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 0.0441
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC337-25TB EAR99 8541.21.0075 8,000 45 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
FR107G R1G Taiwan Semiconductor Corporation Fr107g r1g -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR107 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BAS85-L0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0 L1G -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Schottky Mini Melf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAS85-L0L1G EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
TS20P04GH Taiwan Semiconductor Corporation TS20P04GH -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS20P04 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 400 V 20 A Fase única 400 V
MBR16100CT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100CT C0 -
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela La Última Vez Que Compre MBR1610 - 1801-MBR16100CTC0 EAR99 8541.10.0080 1
ES3HB R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES3HB R5G 1.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3H Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.45 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
SS310L MTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss310l mtg -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS310 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZV55B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V7 0.0504
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B4V7TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 500 na @ 1 V 4.7 V 60 ohmios
ES3G M6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3g m6g -
RFQ
 ECAD 8121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
1SMA4750H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4750h 0.0995
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4750 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
MUR360S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S M6G -
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC MUR360 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SR115HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr115hb0g -
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR115 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
RSFAL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL RFG -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
RS3AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3ahr7g -
RFQ
 ECAD 9610 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SFT11GH Taiwan Semiconductor Corporation Sft11gh -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Estándar TS-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFT11GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
6A05G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G -
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-6, axial Estándar R-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-6A05GTR EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SR2060H Taiwan Semiconductor Corporation SR2060H 0.6437
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR2060 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SR2060H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C220PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c220phmqg -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220.5 V 900 ohmios
ES3DV R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R7G -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5363 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 R6G -
RFQ
 ECAD 7906 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5363R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 22.8 V 30 V 8 ohmios
S3DBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3dbhr5g -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3d Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
SRAS820HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras820hmng -
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras820 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 8 A 100 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
BZD27C160PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrvg -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
SRT15 A1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt15 a1g -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial Srt15 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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