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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
ES1BFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1bfsh 0.1131
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES1BFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
SR809 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 R0G -
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR809 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0.0523
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 250 V 200 MMA 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMA4747HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4747hr3g 0.4300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4747 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
2A03GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A03GHA0G -
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A03 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
TSP10U60S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U60S 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSP10 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 540 MV @ 10 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
S1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1jl rqg -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZT55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 1 µA @ 1 V 4.3 V 75 ohmios
1PGSMB5952 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5952 R5G -
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5952 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 98.8 V 130 V 450 ohmios
SF45G Taiwan Semiconductor Corporation SF45G 0.2688
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF45 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
TSD2G R5G Taiwan Semiconductor Corporation TSD2G R5G 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB TSD2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
SK56BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk56bhr5g -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk56 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
S3AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3ahm6g -
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
1N4002G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002G B0G -
RFQ
 ECAD 9532 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
3A100 Taiwan Semiconductor Corporation 3A100 0.0977
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 3A100 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
1M120Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120Z R1G -
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M120 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 91.2 V 120 V 550 ohmios
LSR103 L0 Taiwan Semiconductor Corporation LSR103 L0 -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf Schottky Asignar - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-LSR103L0TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SF1606G 0.6461
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1606 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C2V7 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V7 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 83 ohmios
1SMB5953H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5953H 0.1560
RFQ
 ECAD 2134 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5953 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 114 V 150 V 600 ohmios
MUR320S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S R6 -
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR320SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N5404G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404G 0.1309
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5404 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C6V8P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8p mqg -
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
SS25LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss25lhmtg -
RFQ
 ECAD 6903 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS25 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SMB5934H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5934H 0.1545
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5934 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
1N5397GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397GH 0.0760
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5397 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
TSZL52C20-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C20-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 2676 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C20-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 50 ohmios
SFF10L06G Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L06G 0.4119
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF10L06 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SFF10L06G EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 5A 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
1T1G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T1G A0G -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T1G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MBR10150H Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150H -
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1015 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBR10150H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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