SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZT52C30K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 23 V 30 V 80 ohmios
MCR100-4 A1G Taiwan Semiconductor Corporation MCR100-4 A1G -
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MCR100 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4.000 5 Ma 200 V 800 Ma 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
SR1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1650 C0G -
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR1650 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
HSDLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hsdlwh 0.0906
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HSDLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 800 Ma 50 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 17PF @ 4V, 1MHz
1N4743G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743G A0G -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4743 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 42.6 V 13 V 110 ohmios
TSM5NC50CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CF C0G 1.1466
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TSM5 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 1.7a, 10v 4.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 40W (TC)
BZD27C82P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c82p mtg -
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62 V 82 V 200 ohmios
BC548B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548B A1 -
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-BC548BA1TB Obsoleto 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
FR107G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr107g a0g 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR107 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HER1607G Taiwan Semiconductor Corporation HER1607G -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 HER1607 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 800 V 16A 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF808GH Taiwan Semiconductor Corporation SF808GH 0.6699
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF808 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF808GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 8A 1.7 v @ 4 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFF1003GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1003GA C0G -
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1003 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRF2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2020 C0G -
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF2020 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
BZT52B16S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16S RRG -
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2dal 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES2D Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -2068-es2dalct EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1 MHz
BC337-40-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92 descascar Alcanzar sin afectado 1801-BC337-40-B0A1GTB Obsoleto 1 45 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
US1B Taiwan Semiconductor Corporation US1B 0.1208
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-US1BTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C13 0.0350
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C13TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
RS1GLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhmhg -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1N4755A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755A R1G -
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4755 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
TSZU52C2V2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V2 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.2 V 100 ohmios
SF18GH Taiwan Semiconductor Corporation SF18GH 0.1058
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF18 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
ES3H M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3H M6 -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3HM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
MUR105S Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S 0.1092
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Mur105 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 875 MV @ 1 A 25 ns 50 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
ABS4 REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS4 REG -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Abdomino Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 950 MV @ 400 Ma 10 µA @ 400 V 800 Ma Fase única 400 V
TSOD1F6HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F6HM RVG -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F TSOD1 Estándar SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4PF @ 4V, 1MHz
TSM300NB06LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV 0.5871
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM300 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.15x3.1) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM300NB06LCVTR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 5A (TA), 24a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 962 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
S1ML RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1ml rqg -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1ml Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SS310L RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra SS310L 0.4328
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS310 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4764A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764A B0G -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar