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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HS2M Taiwan Semiconductor Corporation HS2M 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
RS1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dl rtg -
RFQ
 ECAD 4673 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ2V2SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V2SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 700 MV 2.21 V 100 ohmios
SF22GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF22GHA0G -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF22 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
1N4148W-G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148W-G 0.0264
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 1N4148 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4148W-GTR EAR99 8541.10.0080 9,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
SF33G Taiwan Semiconductor Corporation Sf33g -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF33GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
BC858A Taiwan Semiconductor Corporation BC858A 0.0334
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC858ATR EAR99 8541.21.0075 9,000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
BZD27C160PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 1868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 120 V 160 V 350 ohmios
BZD27C36P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RHG -
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
HER107G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER107G B0G -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial HER107 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C62P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RTG -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
SS33 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SS33 R7G -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C22P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c22p mtg -
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22.05 V 15 ohmios
BZT52C68K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68K RKG 0.0511
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 200 na @ 52 V 68 V 240 ohmios
TSM085NB03DCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR 0.9944
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM085 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM085NB03DCRTR EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 12a (TA), 51A (TC) 8.5mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 20NC @ 10V 1091pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
MBR10200CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CTC0 -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1020 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 980 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF735 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF735 C0G -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF735 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 840 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
1PGSMA4752 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4752 R3G -
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4752 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 45 ohmios
KTC3198-Y Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y 0.0583
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-KTC3198-YTB EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
BZD27C11P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P R3G -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZD27C47P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P RFG -
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
BZY55C11 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c11 0.0350
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C11TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
RS2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA R3G -
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
TSM3457CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3457CX6 0.3881
RFQ
 ECAD 6115 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 TSM3457 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM3457CX6TR EAR99 8541.29.0095 12,000 Canal P 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.52 NC @ 10 V ± 20V 551.57 pf @ 15 V - 2W (TA)
MTZJ10SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj10sc r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj10 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 V 9.95 V 30 ohmios
HT11G R0G Taiwan Semiconductor Corporation Ht11g r0g -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial HT11 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RS1BL MQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bl mqg -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMB5941HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5941HR5G -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5941 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
BZY55B15 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b15 0.0413
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzy55b15tr EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
S8MC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8MC M6G -
RFQ
 ECAD 7300 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8MC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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