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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
M3Z39VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z39VC 0.0294
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z39 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z39VCTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 29 V 39 V 90 ohmios
1PGSMA4748 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4748 0.1086
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4748 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
BZX85C8V2 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C8V2 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 V 5 ohmios
BC548B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548B B1G -
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
BZS55B24 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B24 TRAPO -
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B24RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
S2JA Taiwan Semiconductor Corporation S2ja 0.0633
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
SFF2007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF2007GHC0G -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF2007 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
TSM05N03CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW 0.5075
RFQ
 ECAD 2585 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA TSM05 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM05N03CWTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 7 NC @ 5 V ± 20V 555 pf @ 15 V - 3W (TA)
1N5245B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5245B A0G 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5245 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -2068-1N5245BA0GCT EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
UG06B Taiwan Semiconductor Corporation UG06B 0.0953
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
1PGSMA4759 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4759 0.1086
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4759 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
1SMB5938H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5938H 0.1545
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5938 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 27.4 V 36 V 38 ohmios
HS1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL R3G 0.1377
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1G Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZX584B10 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B10 0.0639
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B10TR EAR99 8541.10.0050 104,000 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
1SMA5954 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5954 0.0935
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5954 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 121.6 V 160 V 700 ohmios
1SMC5352 R7 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 R7 -
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1SMC5352R7TR EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
BZD17C51P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P M2G -
RFQ
 ECAD 5874 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
MBR1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1650 C0G -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1650 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZX79B36 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B36 A0G -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 25.2 Ma @ 50 MV 36 V 90 ohmios
ES1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Es1jl mhg -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1 MHz
MTZJ10SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj10sc 0.0305
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj10 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ10SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 V 9.95 V 30 ohmios
SF44GH Taiwan Semiconductor Corporation SF44GH 0.2862
RFQ
 ECAD 4338 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF44 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECP ROG 1.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM4N60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 25 V - 86.2W (TC)
SRA2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020 C0G -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA2020 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 20 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
BZD17C100P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c100p mtg -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
SMLW Taiwan Semiconductor Corporation SMLW 0.0498
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SMLWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 800 Ma 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 7pf @ 4V, 1 MHz
2M120Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M120Z A0G -
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M120 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 91.2 V 120 V 325 ohmios
SRS2040H Taiwan Semiconductor Corporation SRS2040H 0.7674
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2040 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS2040HTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
SK12H45 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 A0G -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SK12 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 12 A 120 µA @ 45 V 200 ° C (Max) 12A -
BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856B RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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