SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HSMLWH Taiwan Semiconductor Corporation HSMLWH 0.0906
RFQ
 ECAD 8945 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HSMLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 800 Ma 75 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 5PF @ 4V, 1MHz
SRAF8150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF8150 C0G -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF8150 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 150 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
MBR2545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2545CT-Y 0.6949
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2545 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR2545CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 25A 820 MV @ 25 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRT13HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt13ha1g -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial Srt13 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZT55C4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V3 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 1 µA @ 1 V 4.3 V 75 ohmios
SR102HR1G Taiwan Semiconductor Corporation Sr102hr1g -
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR102 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
ES1FLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1flhr3g -
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1F Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
S1BLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation S1blhrfg -
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
HS2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Hs2dfsh 0.1242
RFQ
 ECAD 9917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS2DFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 50 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 32pf @ 4V, 1MHz
ES3FHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3fhm6g -
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3F Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
S1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation S1glhrtg -
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SRAF550 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF550 -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRAF550 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
ES1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL RQG -
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1G Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1 MHz
SS16LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss16lhrun -
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SF44G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF44G B0G -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF44 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
ES3AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3ahm6g -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX79C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C68 0.0333
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C68TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
BC547B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547B B1G -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC547 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
ES3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7G -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C130P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P M2G -
RFQ
 ECAD 7102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
RS2K Taiwan Semiconductor Corporation Rs2k 0.0946
RFQ
 ECAD 8842 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2k Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
BC858A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858A RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
DBL156GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL156GH 0.2874
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL156 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
S1DLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1dls rvg -
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1D Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado S1dlsrvg EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
RS1JALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jalh 0.0683
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1JALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
SFS1004G MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1004g mng -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1004 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 5 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
FR301G Taiwan Semiconductor Corporation FR301G -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-FR301GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
SRAF10150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF10150HC0G -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF10150 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SK515BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk515bh 0.1992
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK515 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
HS2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A R5G -
RFQ
 ECAD 1943 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2A Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar