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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
ES1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhm2g -
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dl rhg -
RFQ
 ECAD 1891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SRS1620HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1620hmng -
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1620 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 16A 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
SF61G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G R0G -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF61 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SS115LSH Taiwan Semiconductor Corporation Ss115lsh 0.4400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS115 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C9V1TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 6.9 V 9.1 V 5 ohmios
SK54CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation Sk54chr7g -
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk54 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZD27C15PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c15phrfg -
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
SFS1008G Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1008g -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1008 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 5 A 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L06GH 0.2535
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER3L06GHTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B11 A0G -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
TSF40L60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L60C -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF40 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 630 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAS20 Estándar Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS20WTR EAR99 8541.10.0070 45,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 150 V 125 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation Pu2ja 0.1050
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA PU2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-PU2JATR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1 MHz
RS1JLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlwhrvg 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W RS1J Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
RFQ
 ECAD 7958 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur440 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
RFQ
 ECAD 4551 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
1N4935G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935G -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N4935GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S10KCH Taiwan Semiconductor Corporation S10kch 0.2379
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
ES3C M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6G -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3C Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
1N4004GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHR1G -
RFQ
 ECAD 9593 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
UG8JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UG8JHC0G -
RFQ
 ECAD 4141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 UG8J Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 8 a 25 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZD17C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RVG -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
MBRS30H45CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS30H45CT MNG -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS30 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 900 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C
1N4004GA0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GA0 -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1015 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 980 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM5NC50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ C0G 2.8500
RFQ
 ECAD 671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 2.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 89W (TC)
HS3G V7G Taiwan Semiconductor Corporation Hs3g v7g 1.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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