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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZD27C43P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P RFG -
RFQ
 ECAD 4209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
BZV55C33 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C33 L1G 0.0499
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
MBRS1545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1545CTH 0.6851
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1545 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 840 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR215H Taiwan Semiconductor Corporation SR215H 0.1105
RFQ
 ECAD 7463 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR215 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation Pu2ja 0.1050
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA PU2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-PU2JATR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 22pf @ 4a, 1 MHz
SFT16G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Sft16g a0g -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SFT16 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S1DL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1dl mhg -
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
TSM60NC980CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC980CP ROG 3.0700
RFQ
 ECAD 5100 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 5V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 300 V - 57W (TC)
S5KB Taiwan Semiconductor Corporation S5KB 0.1414
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
SS35H Taiwan Semiconductor Corporation SS35H -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS35HTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3D M6G -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZD17C220P Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c220p 0.5250
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C220PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
SS32 V6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss32 v6g -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4937GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937GH 0.0613
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ghr3g -
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TS4148C RCG Taiwan Semiconductor Corporation TS4148C RCG 0.3000
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) TS4148 Estándar 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1.25 V @ 100 Ma 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 100mA 4PF @ 0V, 1MHz
SS115 Taiwan Semiconductor Corporation SS115 0.0728
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS115 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMB5940H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5940H 0.1798
RFQ
 ECAD 6514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
HS1J Taiwan Semiconductor Corporation HS1J 0.0853
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
M3Z6V2C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z6V2C 0.0294
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z6 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z6V2CTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 3 V 6.2 V 10 ohmios
S1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1glhm2g -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1N4735G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4735G A0G 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4735 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
1N4754A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754A B0G -
RFQ
 ECAD 7889 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4754 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
BZX55C36 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C36 A0G -
RFQ
 ECAD 5078 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
ES3HB R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES3HB R5G 1.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3H Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.45 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
SSL32 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 0.3167
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1M180ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M180ZHR1G -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M180 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 136.8 V 180 V 1200 ohmios
MUR315S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR315S M6G -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC MUR315 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 875 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
S12JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S12JC R7G -
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
2M22ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m22zh 0.1667
RFQ
 ECAD 7163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m22 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 16.7 V 22 V 12 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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