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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C3V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM024NA04LCR RLG 1.5500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM024 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 170A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 4224 pf @ 20 V - 125W (TC)
S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3mbhr5g 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
SS26L Taiwan Semiconductor Corporation Ss26l 0.2625
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS26 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS26LTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
TUAU6DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau6dh 0.3108
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau6 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu6dhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 6 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 64pf @ 4V, 1 MHz
BAV21WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV21WS-G 0.0334
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAV21 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV21WS-GTR EAR99 8541.10.0070 9,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.25 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
UG06A A1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06A A1G -
RFQ
 ECAD 8184 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
1N4002GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHR1G -
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
ES3C V7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C V7G -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3C Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SK320AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk320AH 0.1251
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF2045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2045CT-Y 0.4477
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2045 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF2045CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 850 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS26HR5G Taiwan Semiconductor Corporation Ss26hr5g -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
1N4757A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A R1G -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4757 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
TSZL52C36 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C36 RWG -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 90 ohmios
BZD27C160PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phm2g -
RFQ
 ECAD 9213 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
SK84C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK84C R7G -
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk84 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
BZT52C8V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 630 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
ES3HBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES3HBHR5G -
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3H Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
1SMA5940 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940 0.0935
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5940 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
TUAS3MH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3mh 0.1885
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas3 Estándar TO77A (SMPC4.6U) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuas3mhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 24pf @ 4V, 1 MHz
SK59BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk59bhr5g -
RFQ
 ECAD 8969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk59 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
TSN525M60HS4G Taiwan Semiconductor Corporation TSN525M60HS4G -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powerldfn TSN525 Estándar 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 25 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
SK520C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R6G -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK520CR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 5 A 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
AZ23C12 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C12 0.0786
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C12TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 9 V 12 V 20 ohmios
S1JLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1jlhrhg -
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MTZJ27SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ27 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 21 V 26.29 V 45 ohmios
BZT55B20 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B20 0.0385
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B20TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
MUR160HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160HA0G -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial MUR160 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
RSFDLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfdlhmqg -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
ZM4747A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4747a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4747 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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